一种激光加工晶圆的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法包括：设置激光光束在晶圆上表面Low‑K层上加工后需形成的预设槽形信息；根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀并形成预设槽形。本发明专利技术能够根据后续的加工工艺需求确定激光光束在晶圆上表面Low‑K层上加工后需形成的槽形并形成预设槽形信息，然后通过设置元件设置上述预设槽形信息，并由所述预设槽形信息经控制器匹配到最佳的拓扑图案分布，进而使得在晶圆上表面Low‑K层刻蚀形成的凹槽更加均匀，热影响区更小且均一性更高。

Method and device for laser processing wafer

The present invention provides a method and a device for laser processing wafer, the method comprises the following steps: setting the laser beam surface Low K layer processing on the wafer after forming the preset groove pattern according to the topology information; preset groove information matching with the laser beam distribution; according to the topological distribution pattern of laser beam in splitting processing, plastic processing and focusing formed after the treatment with the laser spot topology pattern, the wafer surface Low K layer is etched and formed preset groove. The invention can according to the requirements of the follow-up processing to determine the groove shaped laser beam surface Low K layer processing on the wafer after forming and forming preset groove shape information, then set the default slot information element set, and the default slot information through the controller is matched to the topology optimal distribution pattern. Then the groove on the wafer surface Low K layer etching to form more uniform, the heat affected zone is smaller and more uniform.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及装置。
技术介绍
近年来，随着半导体器件特征尺寸的不断减小以及芯片集成度的不断提高，金属互连线之间、多层布线之间的寄生电容以及金属导线的电阻急剧增大，导致了RC延迟、功耗增加等一系列问题，限制了高速电子元器件的发展。当器件特征尺寸小于90nm后，晶圆必须使用低介电常数材料来代替传统的SiO2层(K＝3.9～4.2)，常用的Low-K材料有道康宁公司的FOx及多孔SiLK材料、应用材料公司的黑金刚石系列低K薄膜材料、NovellusSystem的CORAL、英特尔的CDO以及NEC公司的FCN+有机层等等。Low-K材料的使用也带来了一些问题。不论是机械强度还是粘附性，Low-K材料都远远不如SiO2，这对划片工艺提出了挑战。最为常见的问题是，在划片过程中由于较低的机械强度及粘附力，使得Low-K材料粘连在划片刀上，这不仅降低了划片的效率，同时也带来了绝缘层从金属层表面被剥离以及产生碎屑并扩散到其它功能区域等严重影响良率的后果。激光加工具有非接触、精度高、适用材料范围广、加工路径灵活可控等优点，是用来对晶圆划片以及解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：设置激光光束在晶圆上表面Low‑K层上加工后需形成的预设槽形信息；根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀并形成预设槽形。

【技术特征摘要】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：设置激光光束在晶圆上表面Low-K层上加工后需形成的预设槽形信息；根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布；根据所述拓扑图案分布对激光光束依次进行分束处理、整形处理和聚焦处理后形成具有所述拓扑图案分布的激光光斑，用以对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀并形成预设槽形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设槽形信息包括槽形结构、槽形的宽度和槽形的深度中一种或者任意组合。3.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述根据预设槽形信息匹配激光光束需具有的拓扑图案分布，包括：获取槽形结构并根据槽形结构确定所述激光光斑的形状分布；获取槽形的宽度并根据槽形的宽度确定激光光斑的大小分布；根据所述激光光斑的形状分布、大小分布确定拓扑图案分布。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取所述槽形的深度和拓扑图案分布；根据所述槽形的深度和拓扑图案分布确定所述激光光束的强度和焦点位置。5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，当对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀后，还包括：检测对晶圆上表面Low-K层刻蚀所形成的槽形并获取实时槽形信息；获取所述拓扑图案分布并作为第一拓扑图案分布；根据实时槽形信息和第一拓扑图案分布确定拓扑图案分布的调整参数；根据所述调整参数对激光光束的拓扑图案分布进行调整形成第二拓扑图案分布，并将具有第二图案分布的激光光束对晶圆上表面Low-K层进行刻蚀。6.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：设置元件，用于设置激光光束在晶圆上表面Low-K层上加工后需形成的预设槽形信息；控制器，用于根据预设槽形信...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辰，侯煜，刘嵩，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11