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本发明提供一种激光加工晶圆的方法及系统，所述方法包括：获取晶圆上表面Low‑K层的厚度信息；根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制，以使激光光束对晶圆上表面Low‑K层进行刻蚀。本发明能够通过对晶圆上表面Low‑K层的厚度进行实时...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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