反应性介晶型电荷输运化合物制造技术

技术编号:1661501 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及具有电荷输运性能的新型反应性介晶化合物,该化合物包含至少两个噻吩基团,涉及它们用作半导体或电荷输运材料,用于光学、电-光学或电子器件,例如液晶显示器,光学膜,用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET),和集成电路器件如RFID标签,平板显示器中的电致发光器件中,和用于光电伏打和传感器器件中的用途,和涉及包含所述反应性介晶型电荷输运化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有电荷输运性能的新型反应性介晶(mesogenic)化合物,该化合物包含至少两个噻吩基团。本专利技术进一步涉及它们用作半导体或电荷输运材料,用于光学、电-光学或电子器件,例如液晶显示器、光学膜、用于薄膜晶体管液晶显示器的有机场效应晶体管(FET或OFET),和集成电路器件如RFID标签,平板显示器中的电致发光器件中,和用于光电伏打和传感器器件中的用途。本专利技术进一步涉及包含反应性介晶型电荷输运化合物的场效应晶体管、发光器件或ID标签。背景和现有技术有机材料近来已显示有作为有机基薄膜晶体管和有机场效应晶体管中的活性层的前景。这样的器件在智能卡,安全标记和平板显示器中的切换元件中具有潜在的应用。如果有机材料可以从溶液中沉积,则设想有机材料具有相对于它们的硅类似物的显著的成本优点,由于这能够实现快速的大面积制造途径。器件的特性原则上基于半导材料的电荷载子迁移率和电流开/关比,故理想的半导体应当在关闭状态下具有低电导率,结合有高电荷载子迁移率(>1×10-3cm2V-1s-1)。此外,由于氧化导致降低的器件特性,所以重要的是半导材料对于氧化是相对稳定的,即它具有高电离本文档来自技高网...

【技术保护点】
通式Ⅰ的化合物P-Sp-X-A↑[1]-(Z↑[1]-A↑[2])↓[m]-RⅠ其中P是可聚合的或反应性基团,Sp是间隔基团或单键,X是连接基团或单键,A↑[1]和A↑[2]彼此独立地是1,4-亚苯基或噻吩-2,5-二基,它任选地由一个或多个基团R↑[1]取代,其中A↑[1]和A↑[2]中的至少两个是任选取代的噻吩-2,5-二基,R↑[1]具有R的含义之一,Z↑[1]和Z↑[2]彼此独立地是-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-CO-NR↑[0]-、-NR↑[0]-CO-、-O-CO-NR↑[0]-、-NR↑[0]-CO-O-、-NR↑[0]-CO-NR↑[0]...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:M黑奈张卫民S蒂尔奈D施帕罗韦M什库诺夫I麦卡洛克
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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