一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区；所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，螺旋设置于N+注入区和顶层P型注入区之间。本发明专利技术将多晶硅高压电阻集成于结型场效应晶体管(JFET)上，结型场效应晶体管的N+注入区与顶层P型注入区之间的漂移区具有电压梯度差，避免了氧化层被击穿。同时，本发明专利技术将多晶硅高压电阻制作成螺旋结构，节约了硅材料的尺寸。

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

The invention discloses a semiconductor structure and manufacturing method thereof, comprising a polysilicon resistor and high voltage junction field effect transistor polysilicon high voltage resistance the integration to the junction field effect transistor, the two ends of the polysilicon resistor are respectively connected with the high voltage junction field effect transistor N+ injection zone and top P into the area; the high resistance polysilicon helix, helix set in N+ injection zone and top of the P type injection region between. The polysilicon high voltage resistor is integrated on the junction field effect transistor (JFET), and the drift zone between the N+ injection region of the junction type field-effect transistor and the top P injection zone has a voltage gradient difference, which avoids the breakdown of the oxide layer. At the same time, the polysilicon high voltage resistor is made into a spiral structure, which saves the size of silicon material.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件
，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着高压电阻在集成电路中的广泛应用，对于减小高压电阻尺寸的需求日益凸显。对于常用的多晶硅高压电阻，为了减少多晶硅高压电阻与其下方硅的电压差，需要将多晶硅的正负极分别与其下方的硅进行电性连接，使得多晶硅与其下方硅保持相近的电压梯度分布，进而避免氧化层的击穿。在上述现有技术中，要做出高压多晶硅电阻，以及获得与其下方硅保持相近的电压梯度分布，一般需要较大尺寸的硅，成本较高。如图1所示，示意了现有技术的多晶硅高压电阻，是通过DeepNWell深N阱及DeepPWell深P阱分别与多晶硅高压电阻的正负极电性连接。如图2所示，是实现上述多晶硅高压电阻的简易版图，其DeepNWell深N阱上方的多晶硅电压值大，因此其N+注入区到DeepNWell深N阱四周的距离应该相同(有足够的耐压)，需要浪费较多面积。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种集成度高的半导体结构及其制造方法，用于解决现有技术存在的需要较大尺寸半导体材料的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，螺旋设置于N+注入区和顶层P型注入区之间。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于：所述N+注入区和顶层P型注入区之间为结型场效应晶体管的漂移区，所述多晶硅高压电阻靠近N+注入区的一端为正极，靠近顶层P型注入区的一端为负极。4.根据权利要求1、2或3所述的半导体结构，其特征在于：所述顶层P型注入区的下方为结型场效应晶体管的沟道。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于：所述顶层P型注入区包括非分段区和分段区，所述的分段区位于所述非分段区的内侧，所述非分段区下方为结型场效应晶体管的沟道，分段区下方为耐压漂移区。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于：所述顶层P型注入区为位于深N阱上部的完整区域，所述深N阱的下部设置有分段部和非分段部，所述的分段部位于所述非分段部的外侧，所述的分段部的上方对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，白浪，何颖彦，陆阳，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33