抗电磁干扰的功率器件制造技术

本发明专利技术的公开了一种抗电磁干扰的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道；第二导电型的体区，其内设置有第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二源极通过所述第一电阻与所述第一源极共接。本发明专利技术解决了功率器件易受电磁干扰的技术问题。

Power devices against electromagnetic interference

The invention discloses a power device of anti electromagnetic interference includes: a substrate of a first conductivity type, the bottom is equipped with MOS power devices first drain, the substrate is equipped with epitaxial layer; second conductive channel; a body region of a second conductivity type, which is arranged in the first source the upper end of the pole configuration between the adjacent body region has a first gate; wherein, there are at least two is not the body region covering the first independent channel and second channel independent of the channel, the first channel is equipped with independent metal oxide semiconductor field effect transistor, the epitaxial the upper layer is provided with a first insulating resistor, the metal oxide semiconductor field effect transistor second drain and gate second and is connected with the first gate, the metal oxide semiconductor field effect transistor source by second The first resistor is connected with the first source. The invention solves the technical problem that the power device is easy to be interfered by electromagnetic interference.

【技术实现步骤摘要】
抗电磁干扰的功率器件
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种抗电磁干扰的功率器件。
技术介绍
功率器件包括功率IC和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。功率半导体器件是电力电子电路的重要组成部分，一个理想的功率半导体器件应该具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小，在导通状态时，能流过大电流和很低的管压降，在开关转换时，具有短的开、关时间；通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小。同时能承受高的di/dt和du/dt以及具有全控功能。现有的功率器件具有极快的开关特性，实现更高的功率转换效率，但在功率器件断开和闭合过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接...

【技术特征摘要】
1.一种抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属-氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二源极通过所述第一电阻与所述第一源极共接。2.如权利要求1所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述外延层上端还绝缘配置有第二电阻，其与所述第一栅极导电连接。3.如权利要求2所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道上部配置有PN结，所述第二电阻通过所述PN结与所述第一栅极导电连接，所述第二电阻与所述PN结的阳极连接，所述PN结的阴极与所述第一栅极连接。4.如权利要求3所述的抗电磁干扰的功率器件，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应管的第二漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹峰，
申请(专利权)人：苏州美天网络科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32