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本发明的公开了一种抗电磁干扰的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道；第二导电型的体区，其内设置有第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少...
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