可编程逻辑装置制造方法及图纸

一个目的是提供一种即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据，并且电源提供后的逻辑块的启动时间短，并可以低耗电量驱动的可编程逻辑装置。可编程开关的存储部中的晶体管包括能够充分减小晶体管的关态电流的材料，如宽带隙半导体的氧化物半导体材料。当使用能够充分减小晶体管的关态电流的半导体材料，即使在没有电源电位的供给的情况下也可以保持配置数据。

Programmable logic device

One purpose is to keep the configuration data to provide a situation even when no power supply potential, and the starting time of the power supply logic block after short, and programmable logic device driven by low power consumption. Transistors in the storage section of programmable switches include materials that can sufficiently reduce the off state current of transistors, such as oxide semiconductors with wide bandgap semiconductors. When semiconductor materials are sufficiently used to reduce the off state current of the transistor, the configuration data can be maintained even without the supply of the power supply potential.

【技术实现步骤摘要】
可编程逻辑装置
本专利技术涉及一种可编程逻辑装置和包含该可编逻辑装置的半导体装置。另外，本专利技术涉及一种包含该半导体装置的电子设备。
技术介绍
通常，以集成电路（IC）、大规模集成电路（LSI）为代表的半导体集成电路在制造时电路结构已被固定，而不能在制造后对其电路结构进行改变。相对于此，被称为可编程逻辑装置（PLD:ProgrammableLogicDevice）的半导体集成电路具有以各由多个逻辑电路构成的单位逻辑块通过布线相互电连接的结构。在可编程逻辑装置中，可以利用电信号控制各逻辑块的电路结构。因此，可编程逻辑装置的设置即使在制造后也可以进行变更。因此，通过使用可编程逻辑装置可以大幅度地缩减半导体集成电路设计、开发所耗费的时间及成本。可编程逻辑装置包括复杂PLD（CPLD）、现场可编程门阵列（FPGA：FieldProgrammableGateArray）。无论哪一种可编程逻辑装置，都是利用可编程开关来控制各逻辑块的电路结构，该可编程开关位于逻辑块中并根据储存在存储部的数据（配置数据）进行开关的切换。换言之，数据被编程到各可编程开关中，由此可以改变可编程逻辑装置的电路结构。易失本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：包括第一源电极、第一漏电极及第一栅电极的第一晶体管，所述第一晶体管是n沟道晶体管；包括第二源电极、第二漏电极及第二栅电极的第二晶体管，其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方电连接，所述第二晶体管是n沟道晶体管；包括第三源电极、第三漏电极及第三栅电极的第三晶体管，其中所述第三源电极和所述第三漏电极中的一方与所述第一栅电极电连接；以及包括第四源电极、第四漏电极及第四栅电极的第四晶体管，其中所述第四源电极和所述第四漏电极中的一方与所述第二栅电极电连接，其中所述第三栅电极与所述第四栅电极电连接，其中所述第三晶体管包括与所述第三栅电极重叠...

【技术特征摘要】
2011.05.16 JP 2011-1098381.一种半导体装置，包括：包括第一源电极、第一漏电极及第一栅电极的第一晶体管，所述第一晶体管是n沟道晶体管；包括第二源电极、第二漏电极及第二栅电极的第二晶体管，其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方电连接，所述第二晶体管是n沟道晶体管；包括第三源电极、第三漏电极及第三栅电极的第三晶体管，其中所述第三源电极和所述第三漏电极中的一方与所述第一栅电极电连接；以及包括第四源电极、第四漏电极及第四栅电极的第四晶体管，其中所述第四源电极和所述第四漏电极中的一方与所述第二栅电极电连接，其中所述第三栅电极与所述第四栅电极电连接，其中所述第三晶体管包括与所述第三栅电极重叠的第一氧化物半导体层，以及其中所述第四晶体管包括与所述第四栅电极重叠的第二氧化物半导体层。2.一种半导体装置，包括：包括第一源电极、第一漏电极及第一栅电极的第一晶体管，所述第一晶体管是p沟道晶体管；包括第二源电极、第二漏电极及第二栅电极的第二晶体管，其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方电连接，所述第二晶体管是p沟道晶体管；包括第三源电极、第三漏电极及第三栅电极的第三晶体管，其中所述第三源电极和所述第三漏电极中的一方与所述第一栅电极电连接；以及包括第四源电极、第四漏电极及第四栅电极的第四晶体管，其中所述第四源电极和所述第四漏电极中的一方与所述第二栅电极电连接，其中所述第三栅电极与所述第四栅电极电连接，其中所述第三晶体管包括与所述第三栅电极重叠的第一氧化物半导体层，以及其中所述第四晶体管包括与所述第四栅电极重叠的第二氧化物半导体层。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括：与所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方电连接的逻辑电路。4.一种半导体装置，包括：包括第一源电极、第一漏电极及第一栅电极的第一晶体管，所述第一晶体管是n沟道晶体管；包括第二源电极、第二漏电极及第二栅电极的第二晶体管，其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方与所述第一源电极和所述第一漏电极中的一方电连接，所述第二晶体管是n沟道晶体管；与所述第一源电极和所述第一漏电极中的另一方电连接的第一逻辑电路；与所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一方电连接的第二逻辑电路；包括第三源电极、第三漏电极及第三栅电极的第三晶体管，其中所述第三源电极和所述第三漏电极中的一方与所述第一栅电极电连接；以及包括第四源电极、第四漏电极及第四栅电极的第四晶体管，其中所述第四源电极和所述第四漏电极中的一方与所述第二栅电极电连接，其中所述第三栅电极与所述第四栅电极电连接，其中所述第三晶体管包括与所述第三栅电极重叠的第一氧化物半导体层，以及其中所述第四晶体管包括与所述第四栅电极重叠的第二氧化物半导体层。5.一种半导体装置，包括：包括第一源电极、第一漏电极及第一栅电极的第一晶体管，所述第一晶体管是p沟道晶体管；包括第二源电极、第二漏电极及第二栅电极的第二晶体管，其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的一方与所述第一源电极和所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：西岛辰司，米田诚一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP