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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区；所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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