一种三维存储器电迁移测试结构及其制作方法技术

本申请提供一种三维存储器电迁移测试结构及其制作方法，在电迁移测试结构的制作过程中，在与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的氧化层上制作有标识，用于定位所述测试线。由于测试线两侧的第一虚拟线和第二虚拟线的氧化层上设置有标识，因此，在电迁移测试结构样品制作时，直接定位标识中间的一根金属线即为测试线，从而实现测试线的快速准确定位，进而从测试线两侧分别进行切割，得到电迁移测试结构样品。由于标识位于第一虚拟线和第二虚拟线的氧化层上，对测试线不会造成任何影响，从而能够在避免对测试线及与其相连的第一金属线造成损伤基础上，实现测试线的精确定位，还能大大提高样品的制样成功率，及测试线的定位时间。

A three-dimensional memory electromigration test structure and its manufacturing method

This application provides a three-dimensional memory electromigration test structure and manufacturing method thereof, in the manufacture process of electromigration test structure in the oxide layer adjacent with the test line of the first virtual line and the second line of the virtual production logo, for positioning the test line. The oxidation layer of the first virtual test line and second line on both sides of the virtual line is arranged on the logo, therefore, in the electromigration test structure sample making, a wire is directly identifying intermediate test line, so as to realize the rapid and accurate positioning of the test line, and both sides were cut from the test line, get electromigration test structure of samples. The oxide layer is located on the first line and the second identifies the virtual virtual line, the test line will not have any impact, in order to avoid the test line and the first metal wire connected with the damage based on the precise positioning of the test line, can greatly improve the success rate of sample preparation samples, positioning time and testing line the.

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器电迁移测试结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种三维存储器电迁移测试结构及其制作方法。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器，也即3DNAND。现行的3DNANDM2DP_EMtestkey(双重曝光金属线2电迁移测试结构)如图1和图2所示的设计，其中，图1为三维存储器电迁移测试结构的俯视示意图；图2为三维存储器电迁移测试结构的立体结构示意图(仅画出一部分上层金属)；如图1和图2中所示，上面的金属层为M02，下面的金属层为M01，上层金属层M02包括测试线T01和位于测试线T01两侧的多条虚拟线D01，两层金属线通过过孔V01连接在一起，通常测试线T01和虚拟线D01相对于下层金属线较窄，两条上层金属线对应一条下层金属线，如图1所示，其中一条上层金属线位于两条下层金属线之间，且不通过过孔V01与下层金属线连接。测试线T01和虚拟线D01在主体结构上没有差别，在测试过程中，需要定位测试线T01，而通常采用FIB(聚焦离子束，FocusedIonbeam)切割，并通过设定标记来定位测试线，但在FIB切割过程中进行定位标记，会对测试结构造成损伤，从而造成测试过程中，测试结果出现偏差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种三维存储器电迁移测试结构及其制作方法，以解决现有技术中测试结构在定位过程中出现损伤，造成测试结果出现偏差的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种三维存储器电迁移测试结构，包括：位于不同层的第一金属线层和第二金属线层；位于所述第一金属线层和所述第二金属线层之间的第一氧化层；以及位于所述第二金属线层背离所述第一金属线层表面的第二氧化层；所述第一金属线层包括相互平行设置的多条第一金属线；所述第二金属线层包括相互平行设置的一条测试线和多条第二金属线，所述第二金属线包括位于所述测试线一侧的至少一条第一虚拟线和位于所述测试线另一侧的至少一条第二虚拟线；所述测试线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述测试线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第一虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第一虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第二虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第二虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；其中，至少与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上制作有标识，用于定位所述测试线。优选地，所述标识为开设在与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上的第二过孔。优选地，对应所述第一虚拟线上的第二过孔个数为三个，对应所述第二虚拟线上的第二过孔的个数为三个。优选地，所述第二过孔中填充有金属。优选地，所述第二过孔中填充的金属为钨。优选地，所述标识为开设在与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上的凹槽，所述凹槽的延伸方向与所述第一虚拟线和所述第二虚拟线的延伸方向相同，所述凹槽贯穿所述第二氧化层。优选地，所述第一过孔中填充的金属和所述第一金属线的材质相同，均为钨；所述测试线和所述第二金属线的材质相同，均为铜。本专利技术还提供一种三维存储器电迁移测试结构制作方法，用于制作形成上面任意一项所述的三维存储器电迁移测试结构，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多条平行设置的第一金属线；在所述第一金属线上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第一过孔，所述第一过孔中填充金属；在所述第一氧化层上形成第二金属线和测试线，所述测试线的一端与所述第一过孔电性连接，所述第二金属线包括位于所述测试线一侧的第一虚拟线和位于所述测试线另一侧的第二虚拟线，与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线的一端与所述第一过孔电性连接；在所述第二金属线和所述测试线上形成第二氧化层；在与所述测试线相邻的第一虚拟线对应的和与所述测试线相邻的第二虚拟线对应的第二氧化层上制作标识，用于定位测试线。优选地，所述在与所述测试线相邻的第一虚拟线对应的和与所述测试线相邻的第二虚拟线对应的第二氧化层上制作标识，具体包括：在与所述测试线相邻的第一虚拟线对应的和与所述测试线相邻的第二虚拟线对应的第二氧化层上制作第二过孔或凹槽，所述凹槽贯穿所述第二氧化层；在所述第二过孔或所述凹槽中填充金属。优选地，所述金属为钨。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的三维存储器电迁移测试结构，在电迁移测试结构的制作过程中，在与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的氧化层上制作有标识，用于定位所述测试线。由于测试线两侧的第一虚拟线和第二虚拟线的氧化层上设置有标识，因此，在电迁移测试结构样品制作时，直接定位标识中间的一根金属线即为测试线，从而实现测试线的快速准确定位，进而从测试线两侧分别进行切割，得到电迁移测试结构样品。相对于现有技术中可能对测试线造成损伤的定位方式，本专利技术提供的三维存储器电迁移测试结构的标识制作过程位于电迁移测试结构的制作过程中，且位于第一虚拟线和第二虚拟线的氧化层上，对测试线以及与测试线相连的第一金属线不会造成任何影响，从而能够在避免对测试线和与测试线相连的第一金属线造成损伤基础上，实现测试线的精确定位，还能大大提高了三维存储器电迁移测试结构样品的制样成功率，还能够提高测试线的定位时间。本专利技术还提供一种三维存储器电迁移测试结构的制作方法，通过制作方法得到能够快速、准确定位的三维存储器电迁移测试结构，从而在避免对测试线造成损伤基础上，实现测试线的精确定位，还能大大提高三维存储器电迁移测试结构样品的制样成功率，还能够提高测试线的定位时间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中的三维存储器电迁移测试结构局部俯视图；图2为现有技术中的三维存储器电迁移测试结构立体结构示意图；图3A-图3C为现有技术中定位方法过程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种带第二氧化层的三维存储器电迁移测试结构立体结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种不带第二氧化层的三维存储器电迁移测试结构立体结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种不带第二氧化层的三维存储器电迁移测试结构立体结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种三维存储器电迁移测试结构局部俯视图；图8为本专利技术实施例提供的一种三维存储器电迁移测试结构制作方法流程图。具体实施方式正如
技术介绍
部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，包括：位于不同层的第一金属线层和第二金属线层；位于所述第一金属线层和所述第二金属线层之间的第一氧化层；以及位于所述第二金属线层背离所述第一金属线层表面的第二氧化层；所述第一金属线层包括相互平行设置的多条第一金属线；所述第二金属线层包括相互平行设置的一条测试线和多条第二金属线，所述第二金属线包括位于所述测试线一侧的至少一条第一虚拟线和位于所述测试线另一侧的至少一条第二虚拟线；所述测试线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述测试线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第一虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第一虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第二虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第二虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；其中，至少与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上制作有标识，用于定位所述测试线。...

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，包括：位于不同层的第一金属线层和第二金属线层；位于所述第一金属线层和所述第二金属线层之间的第一氧化层；以及位于所述第二金属线层背离所述第一金属线层表面的第二氧化层；所述第一金属线层包括相互平行设置的多条第一金属线；所述第二金属线层包括相互平行设置的一条测试线和多条第二金属线，所述第二金属线包括位于所述测试线一侧的至少一条第一虚拟线和位于所述测试线另一侧的至少一条第二虚拟线；所述测试线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述测试线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第一虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第一虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；与所述测试线相隔奇数条所述第二金属线的所述第二虚拟线的一端通过所述第一氧化层上的第一过孔与一条所述第一金属线的一端相连，且，在平行于所述第一金属线层的方向上，所述第二虚拟线与所述第一金属线分布在所述第一过孔的两侧；其中，至少与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上制作有标识，用于定位所述测试线。2.根据权利要求1所述的三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，所述标识为开设在与所述测试线相邻的所述第一虚拟线和所述第二虚拟线上的第二氧化层上的第二过孔。3.根据权利要求2所述的三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，对应所述第一虚拟线上的第二过孔个数为三个，对应所述第二虚拟线上的第二过孔的个数为三个。4.根据权利要求1所述的三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，所述第二过孔中填充有金属。5.根据权利要求4所述的三维存储器电迁移测试结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔚倩倩，郭伟，仝金雨，李桂花，李辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42