硅烷包裹Ⅱ－Ⅵ族半导体量子点的方法技术

本发明专利技术涉及一种硅烷包裹Ⅱ－Ⅵ族半导体量子点的方法。该方法包括Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的制备、无机包裹以及硅烷包裹。Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中形成稳定的反相胶束溶液，再将经过无机包裹的Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤ａ的反相胶束溶液中，然后加入γ－巯丙基三甲氧基硅烷；调节ｐＨ值范围为８．０－１０．０，加入正硅酸乙酯，然后进行功能化，最后得到经功能化的硅烷包裹的Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点；本发明专利技术方法通过控制量子点硅烷层的厚度来增加量子点在缓冲液中的稳定性，很好的保持其荧光特性，减少量子点的光漂白及其光猝灭效应，还可以通过选用不同的功能化基团来实现量子点的表面功能化修饰，提供量子点水溶后的生物应用基础，通过硅烷处理后的量子点可以使其成为生物荧光标记领域应用的首选。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及一种硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法，特别是在反相微乳胶束中硅烷包裹II-VI族半导体量子点的方法。
技术介绍
：随着材料的制备技术的发展，人们可以将若干半导体材料制成纳米晶粒，若当其尺度小于或者达到其激子波尔半径时，就称之为该半导体材料的量子点。由于量子点具有量子尺寸效应，小尺寸效应及表面效应等，使原体材料的物化特性发生改变，如光，磁，电，力学等方面，而应用较广泛的是其光学特性的神奇变化。Cd(Zn)S，Cd(Zn)Se，Cd(Zn)Te等II-IV族化合物半导体量子点，具有特殊的荧光发射特性，不同于荧光发光有机染料，其荧光强度高，退色或漂白速度慢，荧光光谱峰窄，灵敏度高。由于量子点能带分裂成准分子能及，随着尺寸的减小，其光激发的发射峰位蓝移。故不同尺寸量子点其荧光光谱峰也不同，即意味着在同一激发波长下会有不同的被激发的荧光光谱，其光谱波长可覆盖一定波长范围，使激发光谱线连续分布。CdS，CdSe，CdTe等II-IV族化合物半导体量子点，其光激发光谱在可见光范围内，且波长可连续分布，其可以在同一激发光光源下，同时激发尺寸不同的同种晶体的量子点，可得到不同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅烷包裹Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的方法，包括Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的制备、Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的无机包裹以及Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的硅烷包裹，其特征在于所述的Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：ａ．将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中，搅拌以形成稳定的反相胶束溶液，浓度为０．１２Ｍ－０．２９Ｍ；ｂ．将经过无机包裹的Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤ａ的反相胶束溶液中，并使量子点在反相胶束溶液中的浓度为：１ｍｇ／ｍｌ－１０ｍｇ／ｍｌ；ｃ．在步骤ｂ所得的反相胶束溶液中，加入γ－巯丙基三甲氧基硅烷，搅拌以形成稳定的反相胶束溶液，其中γ－巯丙基三甲氧基硅烷与无机包裹的Ⅱ－Ⅳ族半导体量子点的摩尔比...

【技术特征摘要】
1.一种硅烷包裹II-IV族半导体量子点的方法，包括II-IV族半导体量子点的制备、II-IV族半导体量子点的无机包裹以及II-IV族半导体量子点的硅烷包裹，其特征在于所述的II-IV族半导体量子点的硅烷包裹的具有步骤为：a.将壬基酚聚氧乙烯醚溶于环己烷中，搅拌以形成稳定的反相胶束溶液，浓度为0.12M-0.29M；b.将经过无机包裹的II-IV族半导体量子点的氯仿溶液，加入到步骤a的反相胶束溶液中，并使量子点在反相胶束溶液中的浓度为：1mg/ml-10mg/ml；c.在步骤b所得的反相胶束溶液中，加入γ-巯丙基三甲氧基硅烷，搅拌以形成稳定的反相胶束溶液，其中γ-巯丙基三甲氧基硅烷与无机包裹的II-IV族半导体量子点的摩尔比为：102∶1-103∶1；调节pH值范围为8.0-10.0，搅拌反应1....

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振伟，张建成，沈悦，陈丽霞，尤陈霞，颜浩，俞本伟，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]