树脂覆盖装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种树脂覆盖装置，在框架清洗时，抑制涂布于晶片的水溶性树脂的局部剥离，用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。该树脂覆盖装置构成为，在环状框架（F）上贴附有保护带（T），用水溶性树脂覆盖贴附于保护带的晶片（W）的上表面，该树脂覆盖装置具有：水溶性树脂喷嘴（4），其在晶片的上表面涂布水溶性树脂而形成保护膜（11）；气幕形成单元（6），其形成将晶片与环状框架之间隔开的气幕（C1）；以及清洗水供给单元（5），其在相对于晶片比气幕靠外侧的位置向环状框架供给清洗水。

【技术实现步骤摘要】
树脂覆盖装置
本专利技术涉及用水溶性树脂覆盖激光加工前的晶片的上表面的树脂覆盖装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，在晶片的表面以格子状形成有间隔道，在通过间隔道划分出的区域形成有IC、LSI等器件。晶片被沿着格子状的间隔道纵横分离而被分割为一个个器件。作为沿着间隔道分割晶片的方法，处于减少碎屑等理由也可以采用通过激光加工进行分割的方法。但是，当激光照射到晶片表面时，由于晶片的融化而产生的称为碎片的飞沫飞溅，存在附着在器件的表面而使品质下降的问题。因此，本申请人为了防止飞溅的碎片直接附着在器件，而发现了这样方法：在用水溶性树脂覆盖了晶片的表面的状态下照射激光（例如，参照专利文献1）。在记载于专利文献1的加工方法中，晶片经由保护带而被环状框架支撑，在该状态下的晶片上滴下水溶性树脂，通过所谓的旋涂法使晶片表面被水溶性树脂均匀地覆盖。但是，由于环状框架位于晶片的外周侧，因此通过旋转台的旋转，滴落到晶片的水溶性树脂附着在环状框架的上表面。因此，当在水溶性树脂附着在环状框架的状态下前进到以后的工序时，在利用输送机构输送晶片时，存在吸附垫通过水溶性树脂粘接在环状框架而不能分开的问题。因此，提出了如下的进行框架清洗的方法：在对晶片涂布水溶性树脂之后，对环状框架的上表面喷射清洗水，并且使旋转台旋转，从而去除附着在环状框架的上表面上的水溶性树脂（例如，参照专利文献2）。现有技术文献专利文献1：日本特开2004-322168号公报专利文献2：日本特开2007-73670号公报在记载于专利文献2的框架清洗中，存在如下问题：如果不使旋转台高速旋转，则不会对清洗水作用足够的离心力，存在清洗水飞溅到晶片的上表面的危险。因此，在如想要增厚树脂膜的情况那样，在水溶性树脂的涂布之后不能使旋转台高速旋转时，涂布在晶片上水溶性树脂会由于飞溅的清洗水而局部剥离，存在后续工序的激光加工中导致由碎片的附着而引起的器件的品质恶化的危险。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供如下的树脂覆盖装置：在环状框架的清洗时抑制清洗水向晶片的飞溅，能够用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。关于本专利技术的树脂覆盖装置，其用水溶性树脂来覆盖晶片的上表面，该晶片经由保护带而与环状框架成为一体，该树脂覆盖装置的特征在于，具有：旋转台，其保持经由保护带而与环状框架成为一体的晶片并进行旋转；水溶性树脂喷嘴，其向保持于该旋转台的晶片滴下水溶性树脂；清洗水供给单元，其向保持于该旋转台的该环状框架喷射清洗水；以及气幕形成单元，其配设成能够移动到处于晶片与该环状框架之间的作用位置和从旋转台离开的非作用位置，并且在该作用位置处形成将晶片与该环状框架之间隔开的气幕，在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片与该环状框架之间形成了气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于通过该气幕而与晶片侧隔开的该环状框架的上方并喷射该清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。根据该结构，通过对环状框架喷射清洗水，利用旋转台的旋转在环状框架上形成清洗水流，从而清洗去除附着在环状框架上的水溶性树脂。此时，由于在晶片与环状框架之间通过气幕而被隔开的状态下进行框架清洗，因此清洗水不会飞溅到晶片侧。由此，抑制了涂布在晶片上的水溶性树脂的局部剥离，在后续工序的激光加工中碎片不会直接附着在器件上，能够防止器件的品质恶化。另外，由于环状框架被良好地清洗，因此即使在通过吸附垫吸附环状框架来进行输送时，也不会产生由水溶性树脂引起的问题。另外，在本专利技术的上述树脂覆盖装置中，该气幕形成单元具有形成直径比晶片外径大且比该环状框架的内周缘小的环状的气幕的空气喷出孔，在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片的外周且围绕该环状框架的内周内侧而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。另外，在本专利技术的上述树脂覆盖装置中，该气幕形成单元还具有形成围绕该环状框架的外周的环状的气幕的空气喷出孔，在对该环状框架进行清洗时，在围绕该环状框架的内周和外周而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。专利技术效果根据本专利技术，在通过气幕隔开了晶片与环状框架之间的状态下对环状框架供给清洗水，从而抑制涂布在晶片上的水溶性树脂的局部剥离，能够用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。附图说明图1是第1实施方式的树脂覆盖装置的立体图。图2是第1实施方式的树脂覆盖装置的框架清洗时的立体图。图3是第1实施方式的树脂覆盖装置的动作说明图。图4是从下方观察第2实施方式的气幕形成单元的立体图。图5是第2实施方式的树脂覆盖装置的清洗动作的说明图。图6是第2实施方式的变形例的树脂覆盖装置的清洗动作的说明图。标号说明1树脂覆盖装置3旋转台4水溶性树脂喷嘴5、9清洗水供给单元6、7、8气幕形成单元11树脂膜72、73空气喷出孔C1、C2、C3气幕F环状框架T保护带具体实施方式以下，参照附图，对本实施方式的树脂覆盖装置进行说明。图1是第1实施方式的树脂覆盖装置的立体图。图2是第1实施方式的框架清洗时的立体图。另外，第1实施方式的树脂覆盖装置不限定于图1所示的结构。树脂覆盖装置只要具有一边通过气幕隔开晶片与环状框架之间一边进行框架清洗的结构，则可以是任何结构。如图1所示，树脂覆盖装置1构成为，在通过旋涂法用水溶性树脂覆盖了晶片W的上表面之后，对晶片W的周围的环状框架F进行框架清洗。晶片W是硅晶片、砷化镓等半导体晶片且形成为圆板状。晶片W通过呈格子状排列的间隔道而被划分出多个区域，在该划分出的区域形成有IC、LSI等各种器件D。另外，晶片W以正面朝上的状态贴附在张设于环状框架F的保护带T上。另外，在本实施方式中，虽然作为晶片W以半导体晶片为例进行了说明，但是并不限定于该结构。晶片W只要经由保护带T而与环状框架F成为一体即可，例如，也可以将半导体产品的封装件、陶瓷、玻璃、蓝宝石（Al2O3）系的无机材料基板、各种电气部件或要求精密级的加工位置精度的各种加工材料作为晶片W。树脂覆盖装置1具有有底筒状的壳体2，该壳体2由圆筒状的周壁部21和底壁部22构成。在壳体2内收纳有保持晶片W并旋转的旋转台3。在旋转台3的周围，设置有水溶性树脂喷嘴4、清洗水供给单元5以及气幕形成单元6。旋转台3形成为直径比晶片W的环状框架F大，该旋转台3利用多孔质材料形成了吸盘。吸盘经由旋转台3的管路而与抽吸源连接，通过在吸盘上产生的负压而隔着保护带T抽吸保持晶片W。水溶性树脂喷嘴4由在旋转台3的上方水平延伸的水平部41、和从水平部41的基端向下方延伸的垂直部42而形成为侧视时呈大致L字状。在水平部41的末端设置有滴下水溶性树脂的供给头43。另外，水溶性树脂喷嘴4以能够在旋转台3的上方回转的方式被壳体2支撑。水溶性树脂喷嘴4经由壳体2内的管路而与供给源（未图示）连接，从供给头43向晶片W的正面中央滴下水溶性树脂。并且，通过伴随旋转台3的旋转而产生的离心力，在晶片W的上表面整个区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂覆盖装置，其用水溶性树脂来覆盖晶片的上表面，该晶片经由保护带而与环状框架成为一体，该树脂覆盖装置的特征在于，具有：旋转台，其保持经由保护带而与环状框架成为一体的晶片并进行旋转；水溶性树脂喷嘴，其向保持于该旋转台的晶片滴下水溶性树脂；清洗水供给单元，其向保持于该旋转台的该环状框架喷射清洗水；以及气幕形成单元，其配设成能够移动到处于晶片与该环状框架之间的作用位置和从旋转台离开的非作用位置，并且在该作用位置处形成将晶片与该环状框架之间隔开的气幕，在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片与该环状框架之间形成了气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于通过该气幕而与晶片侧隔开的该环状框架的上方并喷射该清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。

【技术特征摘要】
2013.02.01 JP 2013-0182251.一种树脂覆盖装置，其用水溶性树脂来覆盖晶片的上表面，该晶片经由保护带而与环状框架成为一体，该树脂覆盖装置的特征在于，具有：旋转台，其保持经由保护带而与环状框架成为一体的晶片并进行旋转；水溶性树脂喷嘴，其向保持于该旋转台的晶片滴下水溶性树脂；清洗水供给单元，其向保持于该旋转台的该环状框架喷射清洗水；以及气幕形成单元，其配设成能够移动到处于晶片与该环状框架之间的作用位置和从旋转台离开的非作用位置，并且在该作用位置处形成将晶片与该环状框架之间隔开的气幕，在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片与该环状框架之间形成了气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于通过该气幕而与晶片侧隔开的该环状框架的上方并喷射该清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着...

【专利技术属性】
技术研发人员：九鬼润一，吉田博斗，岩本拓，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP