双面涂覆的压敏粘合片及其使用方法技术

公开了一种双面涂覆的压敏粘合片，它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。该压敏粘合片能有效地高精度加工工件。具体地说，在研磨极薄或大直径硅晶片时，该压敏粘合片通过减少变形和搬运碎裂，适合于能以高产率制造高厚度精度的ＩＣ芯片的方法，并能在相同状态下进行背面研磨和切割。本发明专利技术还提供一种使用上述压敏粘合片的高可靠性半导体的制造方法。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种双面涂覆的压敏粘合片。更具体地说，本专利技术涉及一种双面涂覆的压敏粘合片，用于加工或保护临时固定在硬板上的易碎工件。近年来，IC卡得到推广应用，因此需要降低其厚度。目前需要将半导体芯片的厚度从通常的约350微米降至50-100微米或更薄。通常在晶片表面形成电路图案后研磨晶片的背面。在研磨晶片背面时在电路表面粘附压敏粘合片，以便保护电路表面并固定晶片。在这种用途中通常使用包括涂覆压敏粘合剂的软基片的压敏粘合片。但是，在这种基于软基片的压敏粘合片中，粘合时所施加的张力以残留的应力积聚。当晶片具有大的直径或被研磨成很小的厚度时，压敏粘合片的残留应力超过晶片的强度，结果消除该残留应力所产生的力使晶片变形。另外，研磨后，当用软基片固定晶片时，晶片容易破碎的性能导致在搬运过程中晶片碎裂。因此，研制了将晶片固定在硬物(如石英板或丙烯酸板)上并研磨晶片的方法。为了将易碎的硬物(如打印头、玻璃/环氧树脂板、玻璃或陶瓷)切割成小芯片，将该易碎的硬物固定在硬的承载材料上进行切割。使用双面涂覆的压敏粘合片将这种切割件固定在硬的承载材料上。但是，用常规双面涂覆的压敏粘合片粘合在一起的两层硬物难以分开。当粘附很脆的材料(如晶片)时，无损伤地将其分开是不可能的。因此，需要开发一种双面涂覆的压敏粘合片，它适用于将任何半导体晶片或上述各种切割件固定在硬材料上。另外，在半导体晶片的加工中，在背面研磨和切割过程中均需要表面保护片和用于固定晶片的压敏粘合片。从工艺控制的观点看这是繁琐的。此外，在上述两个步骤之间搬运晶片，由于晶片的易碎性会导致晶片碎裂。因此，还需要开发一种方法，它能在同一状态(configuration)下实施一系列加工步骤(包括上述晶片背面研磨、切割和搬运)，能便于工艺控制并能防止晶片碎裂。根据现有技术的上述状况提出了本专利技术。本专利技术的目的是提供一种双面涂覆的压敏粘合片，它使工件能以高精度有效地进行加工，尤其提供一种双面涂覆的压敏粘合片，它通过降低变形并减少搬运碎裂(这种变形和碎裂是极薄或大直径硅晶片的研磨中常发生的)使之适用于高产率高厚度精度的IC芯片的制造方法，并能在同一状态下进行背面研磨和切割。本专利技术的另一个目的是提供一种高可靠性半导体的制造方法，在该方法中使用上述双面涂覆的压敏粘合片。本专利技术双面涂覆的压敏粘合片包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。在本专利技术中最好两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。另外，所述可收缩的基片最好带有许多微小的切割线(即凹线)。本专利技术双面涂覆的压敏粘合片最好在临时固定在硬板上的工件的加工过程中用于固定或保护该工件。也就是说，本专利技术双面涂覆的压敏粘合片最好用于依次包括下列步骤的方法中将要加工的工件粘附在上述双面涂覆的压敏粘合片的一层可能量辐照固化的压敏粘合剂层上，并将另一层压敏粘合剂层粘附在硬板上，从而将该工件固定在该硬板上；加工该工件；用能量辐照该可能量辐照固化的压敏粘合剂层，以固化该压敏粘合剂同时收缩所述可收缩的基片；以及从已辐照并固化的可能量辐照固化的压敏粘合剂层上剥离经加工的工件。在上述使用方法中，最好两层压敏粘合剂层均是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。另外，所述可收缩的基片最好带有许多微小的切割线。在上述使用方法中，所述工件最好是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工是研磨晶片的背面。所述工件可以是表面带有电路图案的半导体晶片，并且所述加工可以是将所述晶片切割成元件芯片。另外，所述工件可以是表面带有电路图案的半导体晶片，所述加工可以是研磨该晶片的背面并将该晶片切割成元件芯片，并且加工次序可以是任意的次序。本专利技术双面涂覆的压敏粘合片能将各种工件临时固定在硬板上，从而在加工过程中对该工件进行固定和保护。同时，在进行所需的加工和保护后，本专利技术双面涂覆的压敏粘合片能通过简单操作容易从硬板上剥离工件。因此，即使将双面涂覆的压敏粘合片用于研磨例如极薄或大直径的半导体晶片的背面，也可提高晶片的厚度精度，从而降低晶片的变形。另外，可防止晶片搬运过程中的碎裂。结果，本专利技术双面涂覆的压敏粘合片能以高产率制造各种电子元件和半导体芯片。此外，可在相同的本专利技术晶片状态下实施一系列包括加工和搬运的步骤，从而可便于工艺控制。附图说明图1是本专利技术双面涂覆的压敏粘合片的剖面图；图2是将工件粘附在本专利技术双面涂覆的压敏粘合片上的示意图；图3是将带有粘附的工件的双面涂覆的压敏粘合片固定在硬板上的示意图；图4是已加工工件的示意图；图5是能量辐照并且基片收缩后复合物状态的示意图；图6是基片带有切割线的双面涂覆的压敏粘合片使用方式的示意图；图7是将半导体晶片粘附在本专利技术双面涂覆的压敏粘合片上的示意图；图8是将带粘附的半导体晶片的双面涂覆的压敏粘合片固定在硬板上的示意图；图9是半导体晶片背面研磨后复合物状态示意图；以及图10是能量辐照并且基片收缩后复合物状态示意图。下面参照附图对本专利技术作详细说明。现在参照附图1，本专利技术双面涂覆的压敏粘合片10包括可收缩的基片1，以及施涂在该基片两个侧面上的压敏粘合剂层2a和2b。尽管所述可收缩的基片无特别的限制，但是它最好是可热收缩的膜。用于本专利技术中的可收缩膜的收缩比较好为10-90％，最好为20-80％。可收缩膜的收缩比(SR)可根据收缩前的尺寸和收缩后的尺寸用下式算得SR＝/(收缩前的尺寸)×100当使用热收缩膜时，上述收缩比的数据是由在120℃加热前后测得的膜尺寸算得的数据。已知有各种收缩膜。一般来说本专利技术可使用各种收缩膜，只要对工件无不利影响(例如离子污染)即可。合适的收缩膜的例子包括单轴或双轴取向的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯膜、尼龙膜、聚氨酯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚氯乙烯膜等。上述收缩膜的厚度一般为5-300微米，较好为10-200微米。较好将聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的热收缩膜作为收缩膜。所述收缩膜可以是单层任何一种上述收缩膜，或者是上述收缩膜的层压物。当层压收缩膜时，该层压物最好由不同收缩比的膜组成。当将不同收缩比的膜组成的层压物用作可收缩的基片1时，如图5和图10所示低收缩比的一侧会发生突出的变形，使得工件仅靠点接触粘附，从而非常有助于剥离工件。用作可收缩基片1的收缩膜可带有许多微小的切割线(即凹线)。切割线的间隔(切割间距)取决于各个工件的尺寸。切割的间距较好是工件底面最大长度的0.01-2倍，最好是0.1-1倍。切割的间距一般为0.1-20mm，最好为1-10mm。切割线的形状无特别的限制。例如，切割线的图形可以是格子状、同心圆和放射状或其组合。同样，切割线可以具有任何无规的形状。切割线可布满可收缩的基片1的整个表面。如下面将描述的那样，在使用本专利技术双面涂覆的压敏粘合片10时，在适当的步骤后用能量辐照可能量辐照固化的压敏粘合剂层。当使用紫外光作为辐照能源时，构成可收缩基片1的所有膜均应是紫外光可透过的。本专利技术双面涂覆的压敏粘合片10包括上面所述的可收缩的基片1，以及涂覆在其两个侧面上的压敏粘合剂层2a和2b，至少一层(一层或两层)压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。具体地说，要求施涂在要粘附工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面涂覆的压敏粘合片，它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层，至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口勇人，峰浦芳久，江部和义，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]