一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板。制备方法包括在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。与现有技术相比，本发明专利技术提供的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法省去了一次构图工艺，简化了低温多晶硅TFT阵列基板的制备工艺，提高了低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率并降低了生产成本。

Low temperature polysilicon TFT array substrate preparation method and array substrate

The invention relates to the field of display technology, and discloses a method for preparing a low temperature polysilicon TFT array substrate and an array substrate. The preparation method comprises the substrate sequentially formed on the amorphous silicon layer and the polysilicon layer; through a patterning process of the amorphous silicon layer and the polysilicon layer is patterned, the amorphous silicon film formed on the shading layer pattern, and make the polysilicon layer forming active layer graph. Compared with the existing technology, preparation method of low-temperature polysilicon TFT array substrate provided by the invention omits a patterning process, simplifies the preparation process of low-temperature polysilicon TFT array substrate, improve the low-temperature polysilicon TFT array substrate production efficiency and reduce production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板。
技术介绍
在目前的显示面板
中，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon；LTPS)技术已受到广泛的重视和应用。低温多晶硅具有高迁移率的特性，因此在显示面板中采用低温多晶硅制成的TFT(ThinFilmTransistor；薄膜晶体管)器件，可提高显示面板的分辨率、反应速度、亮度和开口率，同时，利用低温多晶硅技术可将显示面板的外围驱动电路集成于基板上，还可起到节省显示面板的空间和降低生产成本的作用。然而，在低温多晶硅TFT阵列基板的制备过程中，目前的低温多晶硅TFT半导体层的制备工艺复杂，与传统的基于非晶硅显示技术的阵列基板相比，非晶硅TFT阵列基板需采用4-5道构图工艺，而低温多晶硅TFT阵列基板需要采用9-11道构图工艺，其生产工艺较为复杂，导致低温多晶硅TFT阵列基板的生产效率降低且生产成本增加。
技术实现思路
本专利技术提供了一种低温多晶硅TFT阵列基板制备方法及阵列基板，用于解决现有技术中的低温多晶硅TFT阵列基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成非晶硅膜层和多晶硅膜层；通过一次构图工艺对所述非晶硅膜层和所述多晶硅膜层进行图案化处理，使所述非晶硅膜层形成遮光层图形，并使所述多晶硅层形成有源层图形。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多晶硅膜层之前，还包括：在所述非晶硅膜层上形成防护层。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述防护层的材料为氧化铝。4.根据权利要求3所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述非晶硅膜层上形成防护层，具体包括：在所述非晶硅层上形成铝膜层；对所述铝膜层进行氧化处理，使所述铝膜层形成所述防护层。5.根据权利要求4所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述铝膜层进行氧化处理，具体包括：在氧气或者空气中对所述铝膜层进行退火处理。6.根据权利要求3所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述防护层的厚度为100-1000埃米。7.根据权利要求2所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅膜层上形成防护层之后，在衬底基板上形成多晶硅膜层之前，还包括：在所述防护层上形成有源层缓冲层。8.根据权利要求7所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层缓冲层由氧化硅材料制成，且所述有源层缓冲层的厚度为1000-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：班圣光，曹占锋，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11