一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于降低在阵列基板中形成交叉设置的信号线时，位于顶层的信号线在爬坡处发生断线的几率。该制备方法包括；在衬底上形成第一导电薄膜，对第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层，第一导电层包括第一信号线；在第一导电层上形成第二导电薄膜，对第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层，第二导电层包括第二信号线；第一信号线和所述第二信号线交叉绝缘设置；其中，第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于边缘两个顶点之间的直线距离。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
阵列基板制备时，通常采用铜作为阵列基板中包括源极、漏极及数据线的源漏金属层的材料。由于铜的性质较为活泼，易扩散至其他膜层中，且在高温或外加电场的作用下，铜易被氧化，影响阵列基板构成的显示器件的显示效果。因此通常构成源漏金属层的材料还包括钼铌(化学式：MoNb)，钼铌层通常形成在铜金属层的上下表面，以对铜进行保护。然而，光刻胶在钼铌层表面的粘附力较低。当在阵列基板中的栅线表面形成数据线时，由于栅线自身具有一定的厚度，因此数据线在与栅线交叠处存在爬坡现象。在底钼铌层、铜金属层、顶钼铌层构成的导电膜层的表面涂覆光刻胶(光刻胶在顶钼铌层的表面)时，由于光刻胶与顶钼铌层的粘附力较低，因此光刻胶在上述爬坡处易产生空隙，在后续的刻蚀工艺中，刻蚀液从上述空隙处侵入导电膜层中，易使得形成的数据线发生断线。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用于降低在阵列基板中形成交叉设置的信号线时，位于顶层的信号线在爬坡处发生断线的几率。为达到上述目的，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一导电薄膜，对所述第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层，所述第一导电层包括第一信号线；在所述第一导电层上形成第二导电薄膜，对所述第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层，所述第二导电层包括第二信号线；所述第一信号线和所述第二信号线交叉绝缘设置；其中，所述第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿所述第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于所述边缘两个顶点之间的直线距离。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一导电薄膜，对所述第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层，所述第一导电层包括第一信号线；在所述第一导电层上形成第二导电薄膜，对所述第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层，所述第二导电层包括第二信号线；所述第一信号线和所述第二信号线交叉绝缘设置；其中，所述第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿所述第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于所述边缘两个顶点之间的直线距离。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影重合区域的宽度，大于所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影未重合的区域的宽度。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述第二导电薄膜进行粗糙化处理。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二导电薄膜进行粗糙化处理，包括：在所述第二导电薄膜表面涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行前烘、曝光、显影、后烘工艺，并将所述光刻胶去除。5.一种阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎午升，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11