一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着显示面板朝着轻薄、低能耗、便携带的趋势发展，以OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)为代表的新一代显示技术受到了广泛的关注。相比于LCD显示技术，OLED具有轻薄、低功耗、低驱动电压、良好的视角和对比度、以及响应速度快等优点。OLED显示器的重要组成部分是TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板，目前TFT-OLED显示器件的制备过程通常为：在TFT阵列制备完成后，通过一次图案化处理工艺在TFT阵列的S/D电极上端的绝缘层上挖一个孔露出S/D电极，然后在绝缘层上沉积一层ITO(Indiumtinoxide，氧化铟锡)，随后再次通过图案化处理工艺将ITO图案化形成与TFT阵列的S/D电极相连的像素电极，由于此时的ITO在TFT阵列的绝缘层上形成了一层凸起，为了防止在像素电极的边缘制备OLED器件的过程中发生短路，因此通过再次成膜、图案化处理工艺制作出一层像素界...
【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔；在所述钝化层上形成一碳膜层；在所述碳膜层上形成一光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层；去除所述光刻胶层。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层，所述钝化层上设置有暴露所述漏极的漏极过孔；在所述钝化层上形成一碳膜层；在所述碳膜层上形成一光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层；去除所述光刻胶层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳膜层为氧化石墨烯层，所述在所述钝化层上形成一碳膜层的步骤包括：将氧化石墨烯分散在溶剂中形成悬浮液；将所述悬浮液涂布在所述钝化层上，以及填充暴露所述漏极的漏极过孔；对所述钝化层上的悬浮液加热，蒸发所述悬浮液中的溶剂，得到氧化石墨烯层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，以形成完全不保留的第一区域和完全保留的第二区域，所述第一区域暴露出所述碳膜层的部分对应区域的步骤包括：对像素电极区域对应的光刻胶层进行曝光处理，形成曝光区域和非曝光区域；对所光刻胶层进行显影处理，所述曝光区域形成暴露出所述像素电极区域对应的氧化石墨烯层的完全不保留的第一区域，所述非曝光区域形成覆盖像素界定层区域对应的氧化石墨烯层的完全保留的第二区域。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的所述碳膜层的部分对应区域进行改性处理，以得到包括改性处理后的区域的碳膜层的步骤包括：以所述光刻胶层为掩膜，对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理，得到材质为石墨烯的像素电极，未被还原处理的第二区域覆盖的氧化石墨烯层为像素界定层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层进行还原处理具体为：使用氢、氩等离子处理所述第一区域暴露出的氧化石墨烯层，使氧化石墨烯还原为石墨烯层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，段献学，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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