石墨烯电极及其图案化制备方法，阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯电极及其图案化制备方法，阵列基板。在石墨烯电极图案化的制备方法中，首先依次在基板上形成氧化石墨烯和光刻胶，其次将紫外光通过掩膜板对光刻胶进行显影，再次利用显影液对曝光后的光刻胶进行显影，然后对相应后暴露出的氧化石墨烯进行还原，最后将剩余的光刻胶进行剥离，即得到图案化的石墨烯电极。石墨烯电极为利用上述石墨烯电极图案化的制备方法制备的石墨烯电极。阵列基板为利用上述方法制得的石墨烯电极作为电极材料制备的。本发明专利技术方法的工艺过程简单、图案化制备难度小、成本低，同时还可以避免在制备过程中降低石墨烯电极的质量。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯电极及其图案化制备方法，阵列基板
本专利技术涉及电极制备
，尤其涉及石墨烯电极的图案化制备方法，还涉及采用该制备方法制得的石墨烯电极，以及具有该石墨烯电极的阵列基板。
技术介绍
石墨烯是由碳原子组成的单原子层材料，是目前世界上最薄的材料(单层膜厚为0.335nm)。石墨烯具有超高的电子迁移率(可达15000cm2/Vs)、极好的机械性能、极高的刚性、较高的光线透过率(可达97.7％)以及超高的热导率(可达5000W/mK，大于铜的热导率的100倍)。另外，石墨烯还具有较高的比表面积和良好的柔性性能。由于石墨烯具有以上多重优点，因此，近年来其在工业领域得到了广泛的应用。尤其是在半导体行业和光电显示行业中，石墨烯的应用与发展极为迅速。目前，制备图案化石墨烯电极的方法主要有以下两种。第一种方法：转移法。具体地，首先将石墨烯转移到所需基底上，然后利用微加工方法对石墨烯进行刻蚀，以形成所需图案。第二种方法：预先制备图案法。具体地，首先预先制备具有预设图案的金属材料，然后利用化学气相淀积法(即CVD法)在金属材料上形成石墨烯，最后将所形成的石墨烯转移到所需基底上。上述制备石墨烯的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯电极的图案化制备方法，包括：在基板上依次形成氧化石墨烯层和光刻胶层；利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影；对裸露的氧化石墨烯层进行还原；对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，以获得图案化的石墨烯电极。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯电极的图案化制备方法，包括：在基板上依次形成氧化石墨烯层和光刻胶层；利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影；对裸露的氧化石墨烯层进行还原；对剩余的曝光后的光刻胶进行剥离，以获得图案化的石墨烯电极。2.根据权利要求1所述的图案化制备方法，其特征在于，所获得的图案化的石墨烯电极所在层的上表面为与所述基板的上表面平行的平面。3.根据权利要求1所述的图案化制备方法，其特征在于，利用掩膜工具对所述光刻胶层进行曝光，包括：使紫外光透过具有透光区域和非透光区域的掩膜板照射所述光刻胶层，以对与所述透光区域相对应的光刻胶层进行曝光。4.根据权利要求3所述的图案化制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用负性光刻胶；对曝光后的光刻胶层进行显影，包括：利用显影液将与所述非透光区域相对应的光刻胶层溶解，以裸露出与所述非透光区域相对应的氧化石墨烯层。5.根据权利要求3所述的图案化制备方法，其特征在于，所述光刻胶层采用正性光刻胶；对曝光后的光刻胶层进行显影，包括：利用显影液将与所述透光区域相对应的光刻胶层溶解，以裸露出与所述透光区域相对应的氧化石墨烯层。6.根据权利要求1至5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海军，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44