阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术公开一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成栅极；在基板的朝向栅极的一侧形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层的远离栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；通过第一黄光制程图案化铟镓锌氧化物层和铟镓锌锡氧化物层，以形成保护层和有源层，保护层覆盖有源层；在保护层的远离有源层的一侧沉积金属层；通过第二黄光制程图案化金属层和保护层，以形成源极、漏极以及隔离区，源极和漏极彼此间隔且分别连接于有源层的两端，隔离区形成在保护层上且位于源极与漏极之间。通过上述阵列基板的制作方法所形成的阵列基板的器件性能良好。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法
本专利技术涉及阵列基板
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板由彩膜(ColorFilter，CF)基板、薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(LiquidCrystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。其中，阵列基板的薄膜晶体管性能直接影响到液晶显示面板的显示质量。采用铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)半导体的薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，从而可以降低液晶显示面板的功耗和成本，同时分辨率可以达到全高清(fullHD)乃至超高清(UltraDefinition，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极；在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；通过第一黄光制程图案化所述铟镓锌氧化物层和所述铟镓锌锡氧化物层，以形成保护层和有源层，所述保护层覆盖所述有源层；在所述保护层的远离所述有源层的一侧沉积金属层；以及通过第二黄光制程图案化所述金属层和所述保护层，以形成源极、漏极以及隔离区，所述源极和所述漏极彼此间隔且分别连接于所述有源层的两端，所述隔离区形成在所述保护层上且位于所述源极与所述漏极之间。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极；在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；通过第一黄光制程图案化所述铟镓锌氧化物层和所述铟镓锌锡氧化物层，以形成保护层和有源层，所述保护层覆盖所述有源层；在所述保护层的远离所述有源层的一侧沉积金属层；以及通过第二黄光制程图案化所述金属层和所述保护层，以形成源极、漏极以及隔离区，所述源极和所述漏极彼此间隔且分别连接于所述有源层的两端，所述隔离区形成在所述保护层上且位于所述源极与所述漏极之间。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层还包括间隔设置的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述源极与所述有源层之间，所述第二部分位于所述漏极与所述有源层之间。3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：对所述铟镓锌氧化物层进行导体化处理，以使所述第一部分和所述第二部分形成欧姆接触层。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导体化处理的方式为等离子体处理方式、离子注入处理方式、紫外光照射处理方式或微...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44