一种整流桥器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种整流桥器件，其基板的正面设有绝缘层，共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，铜基板I的右侧延伸有引脚I，共阳极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板II，铜基板II的右侧延伸有引脚II，铜基板I和铜基板II的左侧设有L形的铜引脚I和铜引脚II，铜引脚I和铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片连接，铜基板及铜引脚均设于绝缘层上。本发明专利技术通过正装的一对共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片直接构成一个完整的整流桥电路，封装时芯片的装片次数缩减50％，有效提高了线路板的利用率和封装的效率，降低了装片的差错风险。

Rectifier bridge device and manufacturing method thereof

The invention discloses a bridge rectifier device, the front substrate is provided with an insulating layer, the common cathode rectifier bridge chip through the conductive adhesive with copper substrate I, copper substrate I is extended to the right back pin I, common anode rectifier half bridge chip through the conductive adhesive with copper substrate II, copper substrate II the right side of the extension pin II, copper substrate I and copper substrate II is arranged at the left side of L shaped copper copper pin I and pin II, half bridge rectifier chip two brass pin I and pin II through the copper bonding wire and common cathode rectifier bridge chip and common anode connection, copper base plate and copper pins are located insulation layer. The present invention through a pair of half bridge rectifier chip common cathode rectifier bridge chip and common anode directly form a complete rectifier circuit, the chip package with the number reduced to 50%, effectively improve the efficiency and the rate of encapsulation using circuit board, reduce the risk of error with.

【技术实现步骤摘要】
一种整流桥器件及其制作方法
本专利技术属于半导体器件
，特别涉及一种整流桥器件及其制作方法。
技术介绍
目前常用的塑封整流桥器件，其制作方法是先将四个二极管芯片（两个正装，两个倒装）的其中一个极通过焊料烧结在两个分别独立的铜基板的一端，该两个铜基板的另一端构成塑封整流桥的其中两个引脚，再用两个铜电极过桥通过焊料将一组二极管芯片（一个正装，一个倒装）的另一个极烧结连接，同时，两铜电极过桥的连接点分别与塑封整流桥的另两个引脚通过焊料烧结连接，然后通过塑封料进行塑封，只留出铜电极的四个引脚端，构成塑封整流桥。该制作方法的步骤复杂，成本高，体积大，线路板的利用率较低，且芯片的装片次数多，倒装的差错风险高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种整流桥器件及其制作方法，以简化制作工艺，降低生产成本，并能有效提高线路板的利用率，降低装片的差错风险。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种整流桥器件，包括基板以及并排设置的共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片，基板的正面设有绝缘层，共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，铜基板I的右侧延伸有引脚I，共阳极整流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流桥器件，其特征在于：包括基板以及并排设置的共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片，所述基板的正面设有绝缘层，所述共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，所述铜基板I的右侧延伸有引脚I，所述共阳极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板II，所述铜基板II的右侧延伸有引脚II，所述铜基板I和铜基板II的左侧设有L形的铜引脚I和铜引脚II，所述铜引脚I和铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片连接，所述铜基板I、引脚I、铜基板II、引脚II、铜引脚I和铜引脚II均设于绝缘层上。

【技术特征摘要】
1.一种整流桥器件，其特征在于：包括基板以及并排设置的共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片，所述基板的正面设有绝缘层，所述共阴极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板I，所述铜基板I的右侧延伸有引脚I，所述共阳极整流半桥芯片的背面通过导电胶粘接有铜基板II，所述铜基板II的右侧延伸有引脚II，所述铜基板I和铜基板II的左侧设有L形的铜引脚I和铜引脚II，所述铜引脚I和铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片连接，所述铜基板I、引脚I、铜基板II、引脚II、铜引脚I和铜引脚II均设于绝缘层上。2.根据权利要求1所述的整流桥器件，其特征在于：所述共阴极整流半桥芯片包括N型基区I，所述N型基区I的正面设有P型发射区I，所述P型发射区I的正面设有P+型发射区I，所述P+型发射区I的正面设有二氧化硅膜I和对称的两个二极管芯片I的阳极金属膜，所述二氧化硅膜I的外围设有划片道I，所述二极管芯片I的阳极金属膜之间通过“日”字形沟槽I隔开，所述沟槽I延伸至N型基区I，所述沟槽I的表面设有钝化玻璃膜I，所述N型基区I的背面设有N+型基区I，所述N+型基区I的背面设有二极管芯片I的共阴极金属膜。3.根据权利要求1所述的整流桥器件，其特征在于：所述共阳极整流半桥芯片包括N型基区II，所述N型基区II的背面设有P型发射区II，所述P型发射区II的背面设有P+型发射区II，所述N型基区II的正面设有N+型基区II，所述N+型基区II的正面设有二氧化硅膜II和对称的两个二极管芯片II的阴极金属膜，所述二氧化硅膜II的外围设有划片道II，所述二极管芯片II的阴极金属膜之间通过“日”字形沟槽II隔开，所述沟槽II延伸至P型发射区II，所述沟槽II的表面设有钝化玻璃膜II，所述P+型发射区II的背面设有二极管芯片II的共阳极金属膜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的整流桥器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）制作共阴极整流半桥芯片；（2）制作共阳极整流半桥芯片；（3）将铜基板I、引脚I、铜基板II、引脚II、铜引脚I和铜引脚II均通过绝缘层粘接在基板正面的相应位置；（4）将共阴极整流半桥芯片和共阳极整流半桥芯片通过导电胶分别正装在铜基板I和铜基板II上；（5）将铜引脚I的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片的其中一个二极管芯片I的阳极金属膜和共阳极整流半桥芯片的其中一个二极管芯片II的阴极金属膜连接，然后将铜引脚II的两端通过键合引线分别与共阴极整流半桥芯片的另一个二极管芯片I的阳极金属膜和共阳极整流半桥芯片的另一个二极管芯片II的阴极金属膜连接，形成具有四个引脚端的整流桥器件。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述制作共阴极整流半桥芯片包括以下步骤：（1）N型基区I：采用N型单晶片，片厚200-500μm，电阻率5-95Ω·c...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成森，潘建英，周榕榕，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32