金属导线、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸
Metal wire, thin film transistor and manufacturing method, array substrate and display device
The invention relates to the field of display technology, in particular to a metal wire, a thin film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a display device. The metal conductor is applied to a thin film transistor comprising a copper alloy containing chromium and zirconium elements. A conductive layer is formed by a copper alloy, after a certain treatment process after the formation of precipitates on the surface layer, the molybdenum alloy forming bottom, not only can realize the high conductivity, high toughness to a certain extent, effectively reduce the power consumption to improve the response time of the display panel, display and display to ensure stability, while simplifying the metal film structure, reduce the corresponding device or system complexity and the overall manufacturing cost is reduced effectively.
【技术实现步骤摘要】
金属导线、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种金属导线、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展，人们对于高分辨率，高色彩度以及高清晰度的显示屏需求愈发强烈。在提高显示面板的响应时间以及降低功耗方面，在制作TFT阵列基板时，金属层多采用电阻率较小的铜、银等金属制成。但是，现有技术中，如果采用铜作为金属膜层，则存在铜耐氧化能力弱的问题；如果考虑采用三层结构解决铜的耐氧化能力弱的问题，则存在刻蚀不稳定以及最上层膜层与光刻胶粘附的问题，其中，三层结构一般为上下层均采用Mo制成而中间层采用导电率较高的金属制成；同时，如果考虑采用合金作为金属膜层解决上述问题，则存在导电性过低而无法保证正常工作的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种金属导线、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置。所述金属导线中，包括铜合金，铜合金中包含铬和锆，其中由于铬、锆具有较高的腐蚀电位，加入铜后提高了铜的金属电位，从而提高了铜的耐氧化能力。为实现该目的，本专利技术提供了一种金属导线，应用于薄膜...
【技术保护点】
一种金属导线，应用于薄膜晶体管，其特征在于，包括含有铬、锆元素的铜合金。
【技术特征摘要】
1.一种金属导线，应用于薄膜晶体管，其特征在于，包括含有铬、锆元素的铜合金。2.根据权利要求1所述的金属导线，其特征在于，所述铜合金中铬含量为0.20-0.50％wt，锆含量为0.20-0.30％wt。3.根据权利要求1或2所述的金属导线，其特征在于，所述金属导线包括导电层以及由导电层析出析出物于上表面形成的析出物层；所述导电层包括铜合金，所述析出物层包括铬、锆元素。4.根据权利要求3所述的金属导线，其特征在于，所述金属导线还包括贴合所述导电层下表面的底层，所述底层包括含锆元素的钼合金。5.根据权利要求4所述的金属导线，其特征在于，所述钼合金中锆含量为0.25-0.35％wt。6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的金属导线。...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，孟凡娜，汪建国，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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