具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法制造方法及图纸

技术编号:16234612 阅读:54 留言:0更新日期:2017-09-19 15:26
具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法。一种半导体装置包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助线,由此减小封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。在一个实施例中,所述半导体装置包含:衬底,在其上安装有至少一个电路装置;半导体裸片,其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;和辅助线,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线且形成为垂直于所述屏蔽线。在另一实施例中,凸块结构用以支撑所述屏蔽线。在又一实施例中,辅助线包含凸块结构部分和线部分,且所述凸块结构部分和所述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。

Semiconductor device and method of conductive wire with increased attachment angle

Semiconductor device and method of conductive wire with increased attachment angle. A semiconductor device includes a shielding line formed across a semiconductor bare sheet and an auxiliary line supporting the shield line, thereby reducing the size of the package and shielding the electromagnetic interference generated from the semiconductor bare sheet. In one embodiment, the semiconductor device includes: a substrate, on which is provided with at least one circuit device; semiconductor bare chip, and the circuit device is spaced and mounted to the substrate; the shielding wire, and the semiconductor chip and spaced across the semi conductor bare chip formation; and auxiliary line, the shielding line supporting the shield line and formed perpendicular to the shield line. In another embodiment, the bump structure is used to support the shielding wire. In another embodiment, the auxiliary line includes a bump structure portion and a line portion, and the bump structure portion and the line portion are used to support the shield line.

【技术实现步骤摘要】
具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法
本专利技术的某些实施例涉及半导体装置和制作半导体装置的方法。
技术介绍
因为制造为具有各种配置的多种半导体装置和用于交换各种信号的电子装置整合到各种电子装置中,所以众所周知半导体装置和电子装置在半导体装置和电子装置的电操作期间发射电磁干扰。电磁干扰可从按窄间隔安装于主机板上的半导体装置和电子装置发射,且相邻半导体装置可受到电磁干扰的直接或间接影响。因此,为了部分地屏蔽半导体装置,可使用线或屏蔽层。然而,在这种情况下,使用线或屏蔽层可能增大半导体装置的大小。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体装置,其包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助结构,由此减小半导体封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。本专利技术的以上和其它目标将在若干实施例的以下描述中进行阐述或从所述以下描述中显而易见。根据本专利技术的实施例的一方面,提供一种半导体装置,其包含:衬底,在其上安装有至少一个电路装置;半导体裸片,其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;及辅助结构,其在所述屏蔽线下支本文档来自技高网...
具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法

【技术保护点】
一种半导体装置,其包括:衬底;半导体裸片,其安装到所述衬底;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;以及辅助结构,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。

【技术特征摘要】
2016.03.10 KR 1020160028899;2016.12.03 US 15/368,51.一种半导体装置,其包括:衬底;半导体裸片,其安装到所述衬底;屏蔽线,其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成;以及辅助结构,其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:所述衬底上安装有至少一个电路装置;所述半导体裸片与所述电路装置间隔开;所述辅助结构包括辅助线;所述衬底包含在所述半导体裸片的一侧处形成的第一接合垫和在所述半导体裸片的另一侧处形成的第二接合垫;所述屏蔽线的一端连接到所述第一接合垫,且所述屏蔽线的另一端横跨所述半导体裸片连接到所述第二接合垫;且所述辅助线形成为大体上垂直于所述屏蔽线。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述屏蔽线包括:第一屏蔽线,其横跨所述半导体裸片从所述半导体裸片的一侧形成到另一侧;以及第二屏蔽线,其形成为垂直于所述第一屏蔽线且横跨所述半导体裸片形成。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述辅助结构包含包括以下各者的辅助线:凸块结构部分;以及线部分,其连接到所述凸块结构部分,其中所述屏蔽线以物理方式接触所述凸块结构部分和所述线部分两者。5.一种半导体装置,其包括:衬底;半导体裸片,其邻近于所述衬底安装;辅助结构,其耦合到所...

【专利技术属性】
技术研发人员:江俊河山坤书纳锡河金真烨金阳奎江森河林德英洪森门金森竣柳森汉姜坤南俞雄赫
申请(专利权)人:艾马克科技公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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