In a semiconductor device of the semiconductor element is mounted on the insulating substrate with a conductive pattern and resin is packaged in the resin was not fully fixed on the conductive pattern under the condition of possible delamination occurred at the interface between resin and conductive pattern, reduce the reliability of the semiconductor device. The present invention provides a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device. A semiconductor device includes an insulating plate; the first conductive part, which is arranged on the insulating board on the first surface of the semiconductor element; mounted on the first conductive portion; and a molding material, the insulation package first conductive part first side plate and the semiconductor element, insulation board materials and moulding materials Tiejin with high compactness ratio of material and molding materials first conductive parts, first conductive section in a part is filled a gap between the molding material, the gap in the first conductive section and insulating board.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知将半导体元件搭载于导电图案上并进行树脂封装而成的半导体装置(例如参照专利文献1~4)。专利文献1:日本特开平6-13501号公报专利文献2:日本特开2004-207277号公报专利文献3:日本特开2009-64852号公报专利文献4:国际公开2013/118478但是,在树脂未充分地固定于导电图案的情况下,有可能在导电图案与树脂的界面发生剥离,半导体装置的可靠性降低。
技术实现思路
在本专利技术的第1方式,提供一种半导体装置,其具备:绝缘板;第1导电部,其设置于绝缘板的第1面上;半导体元件,其搭载于第1导电部上;以及模塑材料,其封装绝缘板的第1面侧处的第1导电部及半导体元件,绝缘板的材料与模塑材料的贴紧性比第1导电部的材料与模塑材料的贴紧性高,第1导电部在一部分设有填充有模塑材料的间隙,该间隙位于第1导电部与绝缘板之间。此外,与第1方式相关联,提供一种半导体装置的制造方法,其包括:准备在第1面上设置有第1导电部的绝缘板的步骤;在第1导电部上搭载半导体元件的步骤;以及利用模 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘板;第1导电部,其设置于所述绝缘板的第1面上;半导体元件,其搭载于所述第1导电部上;以及模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,所述绝缘板的材料与所述模塑材料的贴紧性比所述第1导电部的材料与所述模塑材料的贴紧性高,所述第1导电部在其一部分设有填充有所述模塑材料的间隙,该间隙位于所述第1导电部与所述绝缘板之间。
【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0556281.一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘板;第1导电部,其设置于所述绝缘板的第1面上;半导体元件,其搭载于所述第1导电部上;以及模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,所述绝缘板的材料与所述模塑材料的贴紧性比所述第1导电部的材料与所述模塑材料的贴紧性高,所述第1导电部在其一部分设有填充有所述模塑材料的间隙,该间隙位于所述第1导电部与所述绝缘板之间。2.一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘板;第1导电部,其形成于所述绝缘板的第1面;半导体元件,其搭载于所述第1导电部上;以及模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,所述第1导电部具有:多个凸部,其设置于所述绝缘板侧且在相互分离的不同位置接合于所述绝缘板的所述第1面;以及间隙,其在相邻的凸部彼此之间的至少一部分,在与所述绝缘板之间供所述模塑材料填充。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述第1导电部具有:金属膜,其形成于所述绝缘板的所述第1面上;以及金属板,其接合于所述金属膜,在所述金属板与所述绝缘板之间的至少一部分,具有不设置所述金属膜而填充有所述模塑材料的所述间隙。4.一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘板;第1导电部,其具有形成于所述绝缘板的第1面的金属膜和接合于所述金属膜的金属板;半导体元件,其搭载于所述金属板上;以及模塑材料,其封装所述绝缘板的所述第1面侧处的所述第1导电部及所述半导体元件,在所述金属板与所述绝缘板之间的至少一部分,具有不设置金属膜而填充有所述模塑材料的间隙。5.根据权利要求1~4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述间隙在所述绝缘板的所述第1面上,具有多边形、圆形、椭圆形、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部至少具有一个弯折或曲线形的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变大的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变小的形状、从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变大后变小再变大的形状以及从所述第1导电部的边缘部朝向所述间隙的内部开口幅度变小后变大再变小的形状中的至少一种形状。6.权利要求1~5的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备第2导电部,其设置于所述绝缘板的第2面上,所述第2导电部在其一部分设有填充有所述模塑材料的间隙,该间隙位于所述第2导电部与所述绝缘板之间。7....
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