一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构；氧化露出的所述浮栅结构，以在所述浮栅结构的表面形成氧化物层；去除所述氧化物层，以增加所述浮栅结构之间的所述凹槽的宽度。所述方法更加有利于控制栅的填充，而且可以避免填充过程中产生孔洞，同时还可以保持更宽的有源区关键尺寸，以获得更大的单元电流，从而使半导体器件的性能和良率得到进一步提高。

A semiconductor device and a preparation method thereof, and electronic device

The invention relates to a semiconductor device and a preparation method thereof, and electronic device. The method includes: providing a semiconductor substrate, a plurality of floating gate structure is formed on the semiconductor substrate, it extends downward to the shallow trench isolation structure in the semiconductor substrate is formed between the floating gate structure adjacent the oxide etch back; remove part of the shallow trench isolation structure, to form a groove show, the floating gate structure; the floating gate oxide structure that is exposed to the surface of the floating gate structure to form an oxide layer; removing the oxide layer to increase the groove between the floating gate structure width. The method is more conducive to the filling of the control gate, but also avoid the hole filling process, but also can keep the active region of key dimensions of the wide unit to obtain more current, so that the performance of semiconductor devices and the yield can be further improved.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的更多关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小存储单元尺寸和/或改变结构单元而在单一晶圆上形成更多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经尝试过通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，由于NAND闪存以页为单位读写数据，所以适合于存储连续的数据，如图片、音频或其他文件数据；同时因其成本低、容量大且写入速度快、擦除时间短的优点在移动通讯装置及便携式多媒体装置的存储领域得到了广泛的应用。目前，为了提高NAND闪存的容量，需要在制备过程中提高NAND闪存的集成密度。随着器件尺寸的缩小，NAND闪存的尺寸也不断缩小，使NAND闪存在制备过程中产生很多问题，例如在浮栅之间控制栅的填充，由于器件尺寸减小导致在控制栅的填充过程中通常会形成孔洞，造成电损耗的增加，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构；氧化露出的所述浮栅结构，以在所述浮栅结构的表面形成氧化物层；去除所述氧化物层，以增加所述浮栅结构之间的所述凹槽的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构；氧化露出的所述浮栅结构，以在所述浮栅结构的表面形成氧化物层；去除所述氧化物层，以增加所述浮栅结构之间的所述凹槽的宽度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：在所述凹槽中以及所述浮栅结构的表面上沉积隔离层；沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；在所述覆盖层上形成控制栅。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化选用O2退火的快速热...

【专利技术属性】
技术研发人员：任佳，陈卓凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31