栅介电层的制造方法技术

本发明专利技术公开一种栅介电层的制造方法，包括下列步骤。提供氧化物层。在N2O的环境中，对氧化物层进行第一回火制作工艺。在进行第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对氧化物层进行第二回火制作工艺。上述栅介电层的制造方法可同时降低等效氧化物厚度与漏电流。

Manufacturing method of gate dielectric layer

The invention discloses a method for manufacturing a gate dielectric layer, including the following steps. Oxide layer. In the environment of N2O, the first tempering process of oxide layer is made. After the first tempering process, the second tempering process of the oxide layer is carried out in the NH3 environment. The fabrication method of the gate dielectric layer can simultaneously reduce the equivalent oxide thickness and leakage current.

【技术实现步骤摘要】
栅介电层的制造方法
本专利技术涉及一种介电层的制造方法，且特别是涉及一种栅介电层的制造方法。
技术介绍
在目前栅介电层的制作中，为了降低作为栅介电层的氧化物层的等效氧化物厚度(equivalentoxidethickness,EOT)，会对氧化物层进行去耦等离子体氮化(decoupledplasmanitridation，DPN)制作工艺。然而，去耦等离子体氮化制作工艺虽然可降低氧化物层的等效氧化物厚度，但是由于氮化位置较深，甚至会在栅介电层与基底的界面产生氮化，因而导致漏电流增加。因此，如何制作出可同时具有较低的等效氧化物厚度与较低漏电流的栅介电层为目前业界不断努力的目标。
技术实现思路
本专利技术提出一种栅介电层的制造方法，其可同时降低等效氧化物厚度(equivalentoxidethickness，EOT)与漏电流。本专利技术提供一种栅介电层的制造方法，包括下列步骤。提供氧化物层。在N2O的环境中，对氧化物层进行第一回火制作工艺。在进行第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对氧化物层进行第二回火制作工艺。依照本专利技术的一实施例所述，在上述栅介电层的制造方法中，氧化物层的材料例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅介电层的制造方法，其特征在于，包括：提供氧化物层；在N2O的环境中，对所述氧化物层进行第一回火制作工艺；以及在进行所述第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对所述氧化物层进行第二回火制作工艺。

【技术特征摘要】
1.一种栅介电层的制造方法，其特征在于，包括：提供氧化物层；在N2O的环境中，对所述氧化物层进行第一回火制作工艺；以及在进行所述第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对所述氧化物层进行第二回火制作工艺。2.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的材料包括氧化硅。3.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的形成方法包括热氧化法、化学气相沉积法、原子层沉积法或临场蒸气产生法。4.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，通过所述第一回火制作工艺在所述氧化物层上形成保护层。5.根据权利要求4所述的栅介电层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄同隽，蔡世鸿，冯立伟，郑志祥，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71