The invention discloses a transient voltage suppressor and its manufacturing method, the transient voltage suppressor includes a semiconductor substrate of a first type doped buried layer; second doping type; the second type doped epitaxial layer in the semiconductor substrate; a first doped region in the first doping type in the epitaxial layer; and from the the first doped region longitudinally through the epitaxial layer extending to the buried layer in second doping type second doping area, wherein the transverse cross-sectional area of the first doped region is not less than the second doping area, and the two interface surface at the first doped region. Due to the use of internal breakdown instead of surface breakdown, and the use of a heavily doped semiconductor substrate and lightly doped inverse epitaxial layer, the reliability of transient voltage suppressor provided by the embodiment of the invention has better expansibility and.
【技术实现步骤摘要】
瞬态电压抑制器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法,更具体地,涉及一种瞬态电压抑制器及其制造方法。
技术介绍
瞬态电压抑制器TVS(TransientVoltageSuppressor)是在稳压管基础上发展的高效能电路保护器件。TVS器件的外形与普通稳压管无异,然而,由于特殊的结构和工艺设计,TVS器件的瞬态响应速度和浪涌吸收能力远高于普通稳压管。例如,TVS器件的响应时间仅为10-12秒,并且可以吸收高达数千瓦的浪涌功率。在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,TVS器件的工作阻抗会快速降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时,将电压箝位在预定水平。因此,TVS器件可以有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。相对于单向TVS器件,双向TVS器件由于具有正、反两个方向的常规电性I-V曲线基本对称的特征,从而在实际应用中,能同时保护电路的两个方向,所以应用范围更广。现有技术提供的双向TVS器件一般为纵向的NPN或PNP结构构成,可以实现较大的功率和较好的电压对称性,且成本低廉,工艺简单。但由于PN结雪崩击穿位于有源区表面,容易导致器件热损坏,且很难既保证功率又能拥有较低的电容,各个高浓度的掺杂区都很难与现有的低电容集成方案相结合,不具备扩展性。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种双向导通的瞬态电压抑制器及其制造方法,其可以避免由于表面击穿造成的器件损坏,且具有较好的拓展性。为了解决上述技术问题,根据本专利技术的第一方面,提供一种瞬态电压抑制器,包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的埋层;位于所述半导 ...
【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器,其特征在于,包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的埋层;位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层;位于所述外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区;以及从所述第一掺杂区纵向穿过所述外延层延伸至所述埋层中的第二掺杂类型的第二掺杂区,其中,所述第一掺杂区的横截面积不小于所述第二掺杂区的横截面积,且二者的界面位于所述第一掺杂区的下表面。
【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制器,其特征在于,包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的埋层;位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层;位于所述外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区;以及从所述第一掺杂区纵向穿过所述外延层延伸至所述埋层中的第二掺杂类型的第二掺杂区,其中,所述第一掺杂区的横截面积不小于所述第二掺杂区的横截面积,且二者的界面位于所述第一掺杂区的下表面。2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于,所述外延层的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于,包括反相串联的第一齐纳二极管和第二齐纳二极管,所述第一齐纳二极管的第一极与所述第二齐纳二极管的第一极电性连接,所述第一齐纳二极管的第二极作为瞬态电压抑制器的接地端,所述第二齐纳二极管的第二极作为瞬态电压抑制器的信号端,所述第一极和所述第二极极性相反。4.根据权利要求3所述的瞬态电压抑制器,其特征在于,所述埋层和所述半导体衬底分别作为所述第一齐纳二极管的第一极和第二极,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别作为所述第二齐纳二极管的第二极和第一极。5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于,所述半导体衬底的掺杂浓度大于等于E18cm-3数量级,所述埋层的掺杂浓度大于等于E19cm-3数量级,所述第二掺杂区的掺杂浓度大于等于E18cm-3数量级。6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于,所述第一掺杂类型为N型或P型中的一种,所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一种。7.一种瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,包括:在第一掺杂类型的半导体衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员:周源,郭艳华,李明宇,张欣慰,
申请(专利权)人:北京燕东微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。