一种沟槽肖特基势垒二极管芯片制造技术

一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，包括N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延层、沟槽、氧化层、多晶硅、肖特基势垒层、正面金属、背面金属；其特征在于在沟槽开口为喇叭状或圆弧形或其他特殊形状，沟槽开口处的宽度大于沟槽本体的宽度。本发明专利技术沟槽肖特基势垒二极管芯片可显著降低传统沟槽肖特基势垒二极管芯片的加工难度，有效提升制造良率。

A trench Schottky barrier diode chip

A trench Schottky barrier diode chip, including N type heavily doped substrate, N - doped epitaxial layer, and trench oxide layer, polycrystalline silicon, Schottky barrier layer, front metal, metal back; characterized in the trench opening trumpet shaped or arc or other special shape, groove opening is larger than the width of the groove the width of the body. The groove Schottky barrier diode chip can significantly reduce the processing difficulty of the traditional groove Schottky barrier diode chip, and effectively improve the manufacturing yield.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽肖特基势垒二极管芯片
本专利技术属于半导体功率器件
，特别适用于半导体功率二极管，更具体的说，涉及一种沟槽肖特基势垒二极管芯片。
技术介绍
当前，功率半导体器件在电源转换领域的具有无可替代的作用，尤其低压降的整流二极管，由于它们拥有极低的正向导通压降、优异的高温工作特性、近乎理想的反向恢复特性，因而受到市场的广泛认可。肖特基二极管是利用金属和半导体接触的整流特性而进行工作的多数载流子器件，具有正向压降低、反向恢复电流小、开关速度快、功耗低等特点，目前广泛应用于开关电源、变频器、适配器、驱动器等领域。由于传统的平面肖特基二极管的反向偏压低、反向漏电大，目前主要被沟槽MOS结构肖特基二极管所替代。沟槽MOS结构肖特基二极管在反偏时相邻沟槽间耗尽层发生夹断，可增加反向电压、降低反向漏电流。沟槽MOS结构肖特基势垒二极管芯片在工艺加工时，加工条件要求极其苛刻。首先，由于加工线条尺寸的减小，对光刻线条控制难度增大；其次，沟槽的刻蚀形状会影响器件的性能，对沟槽刻蚀的纵宽比、低部形貌等要求变高；最后，肖特基势垒接触区加工难度明显提高，再次要求刻蚀工序要有较高的加工水平；综合以上几种因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂衬底，及在其上生长的一层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层内设有沟槽，在所述沟槽表面设有氧化层，在所述沟槽内的空腔中填充有多晶硅，在所述N型轻掺杂外延层上表面设有肖特基势垒层，在所述肖特基势垒层以及所述多晶硅上表面设有正面金属，在所述N型重掺杂衬底下表面设有背面金属，其特征在于所述沟槽包括沟槽开口、沟槽本体和沟槽底部，所述沟槽开口处宽度大于所述沟槽本体宽度，在所述沟槽本体及沟槽底部内设置有所述多晶硅，在所述沟槽开口处设置有所述正面金属。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂衬底，及在其上生长的一层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层内设有沟槽，在所述沟槽表面设有氧化层，在所述沟槽内的空腔中填充有多晶硅，在所述N型轻掺杂外延层上表面设有肖特基势垒层，在所述肖特基势垒层以及所述多晶硅上表面设有正面金属，在所述N型重掺杂衬底下表面设有背面金属，其特征在于所述沟槽包括沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：马文力，姚伟明，杨勇，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32