瞬态电压抑制器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。该瞬态电压抑制器通过将并联的两个纵向NPN结构中的一个通过金属电极短路成PN结构，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。

Transient voltage suppressor and its manufacturing method

The invention discloses a transient voltage suppressor and its manufacturing method, the transient voltage suppressor includes a semiconductor substrate; a semiconductor substrate located in the epitaxial layer on the first surface; the isolation zone, from the surface of the epitaxial layer through the epitaxial layer extending into the semiconductor substrate, for defining first and second isolated island the island in the epitaxial layer; doped region, respectively in the first and second island island from the surface of the epitaxial layer extends into the epitaxial layer; a first electrode for the doped region is electrically connected with each other; and a second electrode for the isolation region and the the epitaxial layer is located on the second parts of the Island are electrically connected to each other. The transient voltage suppressor through two parallel vertical NPN structure in a short circuit through the metal electrode into the PN structure, the transient voltage suppressor unidirectional low clamping voltage, reduce chip size and reduce package cost.

【技术实现步骤摘要】
瞬态电压抑制器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种瞬态电压抑制器及其制造方法。
技术介绍
瞬态电压抑制器((TransientVoltageSuppressor，TVS)是用于保护集成电路免遭过电压损害的器件。所设计的集成电路都是在电压的正常范围上工作的。然而，静电放电(ElectronicStaticDischarge，ESD)、电快速瞬变以及闪电等意外情况产生的不可预测、不可控的高电压，会对电路造成损害。当这种高电压产生时，就需要TVS器件保护集成电路，规避这些可能会损坏集成电路的情况。单向的TVS器件广泛用于保护上述应用的集成电路。这类器件受限于它们的工作方式。当瞬间正循环(即正电压峰值)，单向TVS器件反向偏置。器件在雪崩模式下运行，将瞬态电流引入接地。瞬态被嵌制在TVS器件由TVS器件提供的箝位能级，确保对集成电路的保护。当瞬态负循环(即负电压峰值)，单向TVS器件正向偏置，电流沿正向传导。在进行单向TVS器件的设计时，通常只能通过调整基底的电阻率来控制单结电压，但当希望电压进一步降低至6V以下时，由于单结二极管的击穿将以齐纳击穿为主，漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；第一掺杂类型的掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。

【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；第一掺杂类型的掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括位于所述外延层上的绝缘层。3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括第三电极，所述第三电极位于所述半导体衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二隔离岛围绕所述第一隔离岛。5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。6.一种瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，包括：在第一掺杂类型的半导体衬底的第一表面上，形成第二掺杂类型的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周源，郭艳华，李明宇，张欣慰，
申请(专利权)人：北京燕东微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11