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本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，分别在所...
该专利属于北京燕东微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子有限公司授权不得商用。

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