半导体芯片老化测试装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体芯片老化测试装置及方法，包括测试老化板和具有多路复用器和多个高频晶体振荡器的控制电路，当多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且多路复用器的信号控制端选通连接该信号输入端时，多路复用器的信号输出端输出测试信号并加载到芯片插座，以对半导体芯片进行老化测试。本发明专利技术能够克服现有技术中高频信号传输失真以及实现多组不同频率的信号选择性输入，并且提高测试准确性和提高测试效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片老化测试装置及方法
本专利技术涉及半导体芯片测试领域，特别涉及一种半导体芯片老化测试装置及方法。
技术介绍
现有技术中的半导体芯片的可靠性测试(HTOL，Endurance)等耐久性老化测试采用的是基础型功能测试(GrossFunctiontest)，即芯片的工作频率会降低到10Mhz以下，原因在于测试用的老化板在传输高频信号源的高频信号时，由于高频信号源的阻抗不匹配，会产生传输线失真，导致实际到达芯片的高频信号会异常。图1是现有技术的半导体芯片的老化测试装置的测试老化板结构示意图，其中测试老化板10包括印刷电路板板体11、芯片插座12、信号传输线13、金手指14。其中金手指14用于连接信号源和测试老化板10，信号传输线13用于传输驱动信号，芯片插座12用于固定和连接半导体芯片，印刷电路板板体11为各部件的载体。图2是现有技术的半导体芯片的老化测试装置的测试老化板10的测试信号示意图；结合图1和图2可知，高频信号源的高频信号通过测试老化板10的金手指14加载到芯片插座的半导体芯片时，由于高频信号源通过信号传输线13输入到安装到芯片插座的半导体芯片，而高频信号源在输入频率信号时，由于测试老化板的阻抗是固定的，因此，当高频信号源加载不同的频率信号时，会出现频率失真的情况，如图2所示，加载的高频信号(靠近金手指方向的频率信号)为方波信号，而输入到芯片插座的高频信号的高低电平出现了尖峰失真(信号传输线13上的频率信号)，从而影响了半导体芯片的老化测试的准确性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种克服了现有技术中高频信号传输失真以及实现多组不同频率的信号选择性输入，并且提高测试准确性和提高测试效率的半导体芯片老化测试装置及方法。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体芯片老化测试装置，包括安装有待老化测试的半导体芯片的测试老化板，所述的测试老化板包括印刷电路板板体，所述的印刷电路板板体包括通过信号传输线电路连接的金手指和芯片插座，所述的芯片插座用于安装待老化测试的半导体芯片，还包括与所述的芯片插座电连接的控制电路，所述的控制电路包括多路复用器和多个高频晶体振荡器，每个高频晶体振荡器输出的频率信号不相同，所述的多路复用器具有多个信号输入端、一个信号控制端和一个信号输出端，所述的信号控制端用于选通连接其中一个信号输入端，使多路复用器的信号输出端输出该选通的信号输入端的信号，每个所述的信号输入端至多连接有一个高频晶体振荡器，当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时，所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座，以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试装置，所述半导体芯片老化测试装置在退出半导体芯片的老化测试时，断开所述的测试老化板与测试信号的连接。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试装置，所述半导体芯片为闪存，该闪存的老化测试包括写入模式、读取模式和擦除模式的老化测试；当所述的半导体老化测试装置包括任意二种模式的老化测试时；所述的多路复用器为至少具有两个信号输入端的多路复用器，所述的多路复用器的两个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器；当所述的半导体老化测试装置包括三种模式的老化测试时；所述的多路复用器为至少具有三个信号输入端的多路复用器，所述的多路复用器的三个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试装置，所述的芯片插座为一个或多个。为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种半导体芯片老化测试方法，采用上述的半导体芯片老化测试装置，通过由多路复用器和多个高频晶体振荡器构成的控制电路对芯片插座内安装的待老化测试的半导体芯片施加频率信号，当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时，所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座，以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。进一步的，本专利技术提供一种半导体芯片老化测试方法，所述的半导体芯片为闪存，所述闪存的老化测试为耐久性老化测试，包括写入模式、读取模式和擦除模式，当所述闪存进行耐久性老化测试时，包括以下步骤：步骤S1，将待老化测试的闪存安装到测试老化板的芯片插座内；步骤S2，当进行闪存的写入模式的老化测试时，所述的多路复用器的信号控制端选通连接所述多路复用器中的某一个信号输入端，使所述的信号输入端连接有一个提供有第一种频率测试信号的高频晶体振荡器，所述多路复用器的信号输出端输出该第一种频率测试信号；步骤S3，当进行闪存的读取模式的老化测试时，所述的多路复用器的信号控制端选通连接所述多路复用器中的某一个信号输入端，使所述的信号输入端连接有一个提供有第二种频率测试信号的高频晶体振荡器，所述多路复用器的信号输出端输出该第二种频率测试信号；步骤S4，当进行闪存的擦除模式的老化测试时，所述的多路复用器的信号控制端选通连接所述多路复用器中的某一个信号输入端，使所述的信号输入端连接有一个提供有第三种频率测试信号的高频晶体振荡器，所述多路复用器的信号输出端输出该第三种频率测试信号；步骤S5，执行循环测试的步骤：当闪存进行写入模式、读取模式和擦除模式三种模式中的任意二种模式的老化测试时，循环上述步骤S2至S4中对应的二种模式；当闪存进行写入模式、读取模式和擦除模式三种模式中的全部模式的老化测试时，循环上述步骤S2至S4；步骤S6，当步骤S5中的累计循环次数达到设计要求标准时，使闪存退出老化测试。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试方法，还包括根据设计要求标准调整写入模式、读取模式和擦除模式的老化测试的执行顺序的步骤。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试方法，当闪存为任意二种模式的老化测试时；当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为0时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有第一种频率测试信号的高频晶体振荡器对应的信号输入端的第一种频率测试信号；当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为1时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有第二种频率测试信号的高频晶体振荡器对应的信号输入端的第二种频率测试信号。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试方法，当闪存为全部模式的老化测试时；当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为00时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有第一种频率测试信号的高频晶体振荡器对应的信号输入端的第一种频率测试信号；当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为10时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有第二种频率测试信号的高频晶体振荡器对应的信号输入端的第二种频率测试信号；当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为01时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有第三种频率测试信号的高频晶体振荡器对应的信号输入端的第三种频率测试信号。进一步的，本专利技术提供的半导体芯片老化测试方法，当所述的多路复用器的信号控制端的控制信号为11时，所述的多路复用器的信号输出端输出与提供有电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片老化测试装置，包括安装有待老化测试的半导体芯片的测试老化板，所述的测试老化板包括印刷电路板板体，所述的印刷电路板板体包括通过信号传输线电路连接的金手指和芯片插座，所述的芯片插座用于安装待老化测试的半导体芯片，其特征在于，还包括与所述的芯片插座电连接的控制电路，所述的控制电路包括多路复用器和多个高频晶体振荡器，每个高频晶体振荡器输出的频率信号不相同，所述的多路复用器具有多个信号输入端、一个信号控制端和一个信号输出端，所述的信号控制端用于选通连接其中一个信号输入端，使多路复用器的信号输出端输出该选通的信号输入端的信号，每个所述的信号输入端至多连接有一个高频晶体振荡器，当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时，所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座，以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片老化测试装置，包括安装有待老化测试的半导体芯片的测试老化板，所述的测试老化板包括印刷电路板板体，所述的印刷电路板板体包括通过信号传输线电路连接的金手指和芯片插座，所述的芯片插座用于安装待老化测试的半导体芯片，其特征在于，还包括与所述的芯片插座电连接的控制电路，所述的控制电路包括多路复用器和多个高频晶体振荡器，每个高频晶体振荡器输出的频率信号不相同，所述的多路复用器具有多个信号输入端、一个信号控制端和一个信号输出端，所述的信号控制端用于选通连接其中一个信号输入端，使多路复用器的信号输出端输出该选通的信号输入端的信号，每个所述的信号输入端至多连接有一个高频晶体振荡器，当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时，所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座，以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。2.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置，其特征在于，所述半导体芯片老化测试装置在退出半导体芯片的老化测试时，断开所述的测试老化板与测试信号的连接。3.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置，其特征在于，所述半导体芯片为闪存，该闪存的老化测试包括写入模式、读取模式和擦除模式的老化测试；当所述的半导体老化测试装置包括任意二种模式的老化测试时；所述的多路复用器为至少具有两个信号输入端的多路复用器，所述的多路复用器的两个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器；当所述的半导体老化测试装置包括三种模式的老化测试时；所述的多路复用器为至少具有三个信号输入端的多路复用器，所述的多路复用器的三个信号输入端连接有不同频率的高频晶体振荡器。4.如权利要求1所述的半导体芯片老化测试装置，其特征在于，所述的芯片插座为一个或多个。5.一种半导体芯片老化测试方法，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的半导体芯片老化测试装置，通过由多路复用器和多个高频晶体振荡器构成的控制电路对芯片插座内安装的待老化测试的半导体芯片施加频率信号，当所述的多路复用器的信号输入端连接有高频晶体振荡器时，并且所述的信号控制端选通连接具有该高频晶体振荡器的信号输入端时，所述的多路复用器的信号输出端输出一定高频频率的测试信号并将该测试信号加载到所述的芯片插座，以对安装于所述的测试老化板的待老化测试的半导体芯片进行老化测试。6.如权利要求5所述的半导体芯片老化测试方法，其特征在于，所述的半导体芯片为闪存，所述闪存的老化测试为耐久性老化测试，包括写入模式、读取模式和擦除模式，当所述闪存进行耐久性老化测试时，包括以下步骤：步骤S1，将待老化测试的闪存安装到测试老化板的芯片插座内；步骤S2，当进行闪存的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹巍，周柯，陈雷刚，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31