发光二极管LED的制备方法及LED技术

本发明专利技术实施例提供一种发光二极管LED的制备方法及LED。该方法包括：在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、在电流拓展层的表面生长透明绝缘层以及电极；对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。本发明专利技术实施例的方法提高了LED芯片出光率，改善器件的光学性能，具有工艺简单，制作成本低，适用于大规模量产的特点。

The preparation method and LED of light emitting diode LED

The embodiment of the invention provides a method for preparing a light-emitting diode LED and a LED. The method comprises: a substrate in turn from the highest growth of N type semiconductor layer, a light-emitting layer, a P type semiconductor layer, the current expansion layer, surface layer growth in the current expansion of transparent insulating layer and the electrode; the transparent insulating layer of lithography process, as on the surface of the transparent insulating layer is formed with N a hemispherical uniform mask layer; N is a positive integer greater than 1; the mask layer etching process, as on the surface of the transparent insulating layer to form a uniform N surface passivation layer of light hemisphere. The method of the embodiment of the invention improves the luminous rate of the LED chip and improves the optical performance of the device, and has the advantages of simple process, low production cost and suitable for mass production.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及光电
，尤其涉及一种发光二极管LED的制备方法及LED。
技术介绍
半导体发光二极管被广泛应用于固态照明光源，其绿色节能的特点被普遍关注，其具有发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、体积小可平面封装等优点，特别是以氮化物为基础的蓝色发光二极管的研制成功，使得发光二极管可以实现全色彩发光，并逐步迈向白光照明时代。目前发光二极管在汽车内外灯光、显示器背光、室外景观照明，便携式系统闪光灯、投影仪光源、广告灯箱、电筒、交通灯等领域都有广泛应用。就发光二极管技术发展而言，目前最重要的课题是如何提高发光二极管的亮度。要提高发光二极管的亮度，就要提高发光二极管的内部量子效率及光取出效率。内部量子效率代表电子转换成光子的效率，其重点在于调整提高发光结构层的晶体质量，目前随着晶体外延生长技术的提高，已经可以将内部量子效率提升至90％甚至更高；而光取出效率则与物理现象有关。根据光的折射原理，光从光密介质射到光疏介质的界面时，光要离开法线折射，当入射角增加到某种情形时，折射线将沿表面进行，即折射角为90度，该入射角称为临界角，若入射角大于临界角，则无折射，全部光线均返回光密介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管LED的制备方法，其特征在于，包括：在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极；对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管LED的制备方法，其特征在于，包括：在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极；对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层；N为大于1的正整数；对所述掩膜层进行刻蚀处理，以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述透明绝缘层进行光刻处理，以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层，具体包括：在所述透明绝缘层上形成粘胶层；使用光刻板对所述粘胶层进行光刻处理，形成所述掩膜层；所述光刻板包括：玻璃层和遮光层；所述遮光层为布拉格反射层；所述遮光层在所述光刻板上的单位遮光图形为厚度由...

【专利技术属性】
技术研发人员：史洁，郑远志，康建，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34