功率半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率半导体器件及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该功率半导体器件包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。解决了在制作电极的过程中为了防止退火时电极被氧化而采用含金的材料导致制作成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体元器件技术，尤其涉及一种功率半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件越来越受到业界的关注。GaN(氮化镓)是第三代宽禁带半导体材料，由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场，较高热导率，耐腐蚀和抗辐射性能，在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势，被认为是研究短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。GaN基AlGaN/GaN(AlGaN为氮化镓铝)材料的大功率半导体器件是研究的热点，这是因为AlGaN/GaN异质结处能形成高浓度、高迁移率的2DEG(Two-dimensionalelectrongas，二维电子气),同时异质结对2DEG具有良好的调节作用。目前，大部分功率半导体器件使用贵重的金作为电极材料，导致制作成本较高。例如，在制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的源/漏电极时，通常先形成Ti(钛)/Al(铝)/x/Au(金，x通常是Ni,Ta,Ti等)的复合层，再进行光刻获得图案化的源/漏电极，之后需要进行快速退火工艺以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一Ti层的厚度为200埃，所述Al层的厚度为1200埃，所述第二Ti层的厚度为200埃，所述TiN层的厚度为200埃。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极的底部嵌入所述半导体有源层中。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极包括源电极和漏电极，所述功率半导体器件还包括：穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的栅电极，以及覆盖在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上的第二介质层；所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述功率半导体器件为高电子迁移率晶体管。5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极为阴极，所述功率半导体器件还包括：穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的阳极，以及覆盖在所述阴极、所述阳极上的第三介质层，所述功率半导体器件为肖特基二极管。6.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：形成半导体有源层；在所述半导体有源层上形成第一介质层；形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，孙辉，林信南，陈建国，
申请(专利权)人：北京大学，北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11