一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构制造技术
Multilayer metal electrode structure of silicon carbide power device
The invention discloses a multi-layer metal electrode structure for silicon carbide power devices, the multi-layer metal electrode structure in the upper electrode coating is provided with a protective metal layer, the upper part of the protective metal layer is provided with a layer of the cap layer. The application in the conventional mixed Al electrode coating of other metallic elements, increased by a thin layer of dense, adhesion and corrosion resistance of metal layer (such as Ti or Ag) protective layer; and the outermost layer covered with a layer of Al cap layer. The protective layer of metal because of its characteristics of dense, pinhole less, can effectively prevent the further invasion of water vapor, the Al electrode can protect the thicker inner layer; the outer layer and a Al cap in the protection of surface scratches while maintaining the excellent properties of Al electrode, and is convenient for online testing device and subsequent wire electrodes etc..
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构
本专利技术属于H01L27/00类半导体器件
，具体涉及一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构。
技术介绍
SiC作为近十几年来迅速发展的宽禁带半导体材料，与其它半导体材料，比如Si，GaN及GaAs相比，SiC材料具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度等优点。SiC可以热氧化生成二氧化硅，使得SiCMOSFET及SBD等功率器件和电路的实现成为可能。自20世纪90年代以来，SiCMOSFET和SBD等功率器件已在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。对于SiC功率器件的电极制作，正面电极因为成本等因素考量，器件正面往往采用Al制作电极。而为了改善大电流下的电迁移特性，高品质的器件往往在制作Al电极时掺入少量的Cu；而同时，为了提高电极的电导率，有时还掺入少量的Ag，其典型电极结构如图1所示。然而，作为一种功率器件，碳化硅器件的可靠性相当重要。这种掺入了多种金属元素的Al电极在受到水汽侵入时，有时会发生电偶腐蚀现象，导致器件电极的失效。对于SiC功率芯片的制作，在芯片划片时，有...
【技术保护点】
一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构，其特征在于，所述多层金属电极结构在电极镀层的上方设置有一层金属保护层，所述金属保护层的上方设置有一层帽层。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构，其特征在于，所述多层金属电极结构在电极镀层的上方设置有一层金属保护层，所述金属保护层的上方设置有一层帽层。2.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁俊，倪炜江，张敬伟，李明山，牛喜平，季莎，
申请(专利权)人：北京世纪金光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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