一种碳化硅双极结型晶体管制造技术
Silicon carbide bipolar junction transistor
The utility model relates to a silicon carbide bipolar junction transistor, belonging to the technical field of high power semiconductor devices. Includes collector 7 and N stacked sequentially from bottom to top
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅双极结型晶体管
本专利技术属于高功率半导体器件
，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。
技术介绍
宽禁带半导体材料SiC是制备高压电力电子器件的理想材料，碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)是重要的常关型器件之一，在万伏级高耐压电力电子器件领域具有优势。相对Si基三极管，SiCBJT具有更低的导通电压，不存在二次击穿现象等优点；SiCBJT避免了常开型器件SiCJFET的栅极驱动问题，没有SiCIGBT导通损耗大的缺点，不存在SiCMOSFET因为栅介质稳定性差及沟道迁移率低而使器件工作条件受到限制的问题。SiC/SiO2高界面态的存在会导致SiCMOSFET的栅介质不稳定，沟道迁移率低等不良影响；对于SiCBJT，高界面态会成为复合中心，导致大量的电子和空穴在界面处复合产生复合电流，降低器件的电流增益，并导致器件性能退化。美国专利号US8378390提出了一种新结构的碳化硅双极结型晶体管，来减小SiC/SiO2高界面态导致的复合电流，其基本原理是：在SiCBJT的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区，利用SiO2介质层上的金属、SiO2介质层以...
【技术保护点】
一种碳化硅双极结型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极(7)、N
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅双极结型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极(7)、N+衬底(6)、N-集电区(5)和P型基区(4)，P型基区(4)上表面一端具有N+发射区(3)，所述N+发射区(3)上表面具有发射极(1)；其特征在于，P型基区(4)上表面另一端具有第一二次外延P+区(10)，所述第一二次外延P+区(10上表面设置有基极(2)，所述第一二次外延P+区(10)和N+发射区(3)之间的P型基区(4)上层具有第二二次外延P+区(9)，所述第一二次外延P+区(10)、第二二次外延P+区(9)和N+发射区(3)之间通过介质层(8)隔离，所述介质层(8)沿N+发射区(3)上表面向远离基极(2)的一侧延伸并与发射极(1)连接，介质层(8)沿第一二次外延P+区(10)上表面向远离发射极(1)的一侧延伸并与基极(2)连...
【专利技术属性】
技术研发人员：张有润，王文，郭飞，钟晓康，刘程嗣，刘凯，刘影，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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