半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极管的阴极区域的N

Semiconductor device and method of manufacturing the same

The present invention provides a semiconductor device and its manufacturing method, used to improve the performance of a semiconductor device with the IGBT RC. A AlNiSi layer (ML) (containing aluminum (Al), nickel (Ni) and silicon (Si) layers) is formed between the back (Sb) and the back electrode (CE) of the semiconductor substrate (SB). Thus, the N can be formed in the cathode region of the built-in diode

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造技术，能够适当地应用于例如具备二极管和IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)的半导体装置。
技术介绍
在日本特开2013-145851号公报(专利文献1)中记载有一种半导体装置，在该半导体装置中，在半导体基板的一个表面露出的范围内形成有二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域，在所述表面上形成有与阴极区域相接的第一导体层和与集电极区域相接的第二导体层，第二导体层的功函数比第一导体层的功函数大。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-145851号公报
技术实现思路
在RC-IGBT(ReverseConductingIGBT(逆导通IGBT))中，对于形成于半导体基板的背面的背面P型层和背面N型层这两方，需要与背面电极形成欧姆接合。如果使用例如所述专利文献1所记载的技术，则能够形成良好的欧姆接合，但期望一种使用更简单的制造工艺而能够实现性能较高的RC-IBGT的技术。其他课题和新的特征根据本说明书的记载以及附图而变得明确。一实施方式的半导体装置包括：半导体基板，具有表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面；第一电极，形成于所述第一主面侧；以及第二电极，形成于所述第二主面侧，所述半导体装置的特征在于，具有：第一导电型的第一半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的第一区域；第二导电型的第二半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的与所述第一区域不同的第二区域，所述第二导电型与所述第一导电型不同；接合层，以与所述第一半导体层和所述第二半导体层相接的方式形成，包含铝、硅以及对可见光的波长的反射率比铝低的第一金属；以及所述第二电极，以与所述接合层相接的方式形成。

【技术特征摘要】
2016.01.18 JP 2016-0068571.一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面；第一电极，形成于所述第一主面侧；以及第二电极，形成于所述第二主面侧，所述半导体装置的特征在于，具有：第一导电型的第一半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的第一区域；第二导电型的第二半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板的与所述第一区域不同的第二区域，所述第二导电型与所述第一导电型不同；接合层，以与所述第一半导体层和所述第二半导体层相接的方式形成，包含铝、硅以及对可见光的波长的反射率比铝低的第一金属；以及所述第二电极，以与所述接合层相接的方式形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属是镍、钛、钒、钼或铂。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接合层分别包含10at％以上的所述铝、10at％以上的所述硅以及10at％以上的所述第一金属。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接合层的厚度是100nm以上且500nm以下。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电型是P型，所述第二导电型是N型，所述第二半导体层的杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在俯视视角下，在所述第一半导体层中等间隔地配置有多个所述第二半导体层，在俯视视角下，所述第二半导体层是圆形。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有：所述第一导电型的第三半导体层，以从所述第一主面起具有第一深度的方式形成于所述半导体基板；所述第二导电型的第四半导体层，以从所述第一主面起具有比所述第一深度浅的第二深度的方式形成在所述第三区域内；所述第二导电型的第五半导体层，形成于所述第三半导体层与所述第一半导体层以及所述第二半导体层之间的所述半导体基板；槽，从所述第一主面贯通所述第四半导体层以及所述第三半导体层而形成于所述半导体基板，并到达所述第五半导体层；第三电极，隔着绝缘膜而形成在所述槽内；以及所述第一电极，与所述第三半导体层以及所述第四半导体层电连接。8.一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一主面和与所述第一主面相反一侧的第二主面；第一电极，形成于所述第一主面侧；以及第二电极，形成于所述第二主面侧，所述半导体装置的特征在于，具有：N型导电性的第一半导体层，在所述第二主面露出并形成于所述半导体基板；接合层，以与所述第一半导体层相接的方式形成，包含铝、硅以及对可见光的波长的反射率比铝低的第一金属；以及所述第二电极，以与所述接合层相接的方式形成。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西翔，藤井裕二，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP