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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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