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本发明公开了一种碳化硅功率器件的多层金属电极结构，所述多层金属电极结构在电极镀层的上方设置有一层金属保护层，所述金属保护层的上方设置有一层帽层。本申请的在常规的掺入了其他金属元素的Al电极镀层后，增加了一薄层由致密性，粘附性和抗腐蚀性较好的...
该专利属于北京世纪金光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪金光半导体有限公司授权不得商用。

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