选择性元件、存储器胞元和存储装置制造方法及图纸
Selective element, memory cell and storage device
A selective device comprises a first electrode, a second electrode, a switching device and a nonlinear resistive device. The second electrode is arranged to face the first electrode. A switching device is disposed between the first electrode and the second electrode. A nonlinear resistive device containing boron (B), silicon (Si) and carbon (C) in one or more. A nonlinear resistive device coupled to the switching device in series.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择性元件、存储器胞元和存储装置
本公开涉及在电极之间具有开关装置的选择性装置，以及包含此选择性装置的存储器胞元和存储单元。
技术介绍
近年来，已要求实现用于数据存储的大容量非易失性存储器，所述大容量非易失性存储器由电阻改变型存储器代表，例如，电阻性随机存取存储器(ReRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)。然而，使用当前可用的存取晶体管的电阻改变型存储器可具有较大的每单位胞元的占据面积。因此，例如，即使在相比例如NAND型等闪速存储器，此存储器使用相同设计规则而进一步小型化时，也难以实现大量的存储容量。相比之下，存储器装置设置在交叉的配线之间的交叉点(交点)处的所谓的交点阵列结构的使用减小每单位胞元的占据面积，从而能够实现大量的存储容量。交点型存储器胞元除存储器装置之外还设有用于胞元选择的选择性装置。选择性装置的实例可包含使用金属氧化物制成的选择性装置(例如，参见非专利文献1和2)。然而，此选择性装置在开关阈值电压的量值方面不充分，并且趋向于在施加高压的状况下遭受介电击穿。另一实例可以是电阻在某一电压下切换以使电流急剧增大(跳回)的选择性装置(例如，参见非专利...
【技术保护点】
一种选择性装置，包括：第一电极；第二电极，被设置成面向所述第一电极；开关装置，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及非线性电阻性装置，含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种，所述非线性电阻性装置串联耦接到所述开关装置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 JP 2015-0246081.一种选择性装置，包括：第一电极；第二电极，被设置成面向所述第一电极；开关装置，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及非线性电阻性装置，含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种，所述非线性电阻性装置串联耦接到所述开关装置。2.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述非线性电阻性装置具有非线性电阻性层，所述非线性电阻性层包含含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种的合金或化合物。3.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述非线性电阻性装置具有非线性电阻性层，所述非线性电阻性层包含硼(B)和硅(Si)中的任一种的氧化物、氮化物或氮氧化物。4.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述非线性电阻性装置具有1MV/cm或更高的介电耐受电压，并且在施加到所述非线性电阻性装置的2V或更低的电压下施加具有10MA/cm2或更高的电流密度的电流。5.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述开关装置包含开关层，所述开关层通过将所施加的电压提高到预定阈值电压或更高而改变为低电阻状态，所述开关层通过将所述所施加的电压降低到所述预定阈值电压或更低或通过移除所述所施加的电压而改变为高电阻状态。6.根据权利要求5所述的选择性装置，其中所述开关层含有碲(Te)、硼(B)、硅(Si)、碳(C)和氮(N)中的一种或更多种。7.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述非线性电阻性装置包括恒定电流二极管。8.根据权利要求7所述的选择性装置，其中所述恒定电流二极管包括结场效应晶体管。9.根据权利要求1所述的选择性装置，其中所述非线性电阻性装置和所述开关装置堆叠而第三电极介于所述非线性电阻性装置与所述开关装置之间。10....
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