The invention discloses a self-aligned nano field effect transistor comprises a substrate comprising a metal stack gate electrode, a channel material layer on a substrate, a channel layer material for central gate electrode, gate electrode region respectively on both sides of the source region and the drain region, a gate electrode region with gate dielectric layer deposition depositing a gate dielectric layer, a first metal layer, a first metal layer is deposited on the second metal layer, source and drain regions respectively deposited on the source and drain metal to form the source and drain electrodes. The invention of the second metal layer and a first metal layer for forming self-aligned undercut shape, thus forming a gate electrode, a gate electrode metal stack gate capacitance increases the efficiency, and define self-aligned gate electrode structure requires only one exposure, simplifies the preparation process, but also saves the cost of preparation. The invention also discloses a method for manufacturing a self-aligned nano field effect tube with a metal stacked gate electrode.
【技术实现步骤摘要】
包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管及其制作方法
本专利技术涉及微电子
,特别涉及一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管及其制作方法。
技术介绍
石墨烯作为一种新型的电子功能材料,由于具有独特的物理结构及优异的电学性能,成为当今微电子材料的研究热点,在微电子领域具有广泛的应用前景。新的纳米结构材料(如MoS2、MoSe2、WSe2等)越来越受到关注。栅电极与源极和漏极之间的un-gate区域产生的连接电阻是影响纳米场效应管性能的关键因素之一,采用自对准结构是解决这一问题的可行办法。在已有的自对准结构的纳米场效应管中,为了形成自对准的栅结构,有的需要两次或三次电子束曝光来形成T型栅结构,增加了工艺的复杂性,有的有二氧化硅的堆叠栅电极,降低了栅电容效率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种制作简单、成本低、栅电容效率高的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,并提供其制作方法。本专利技术解决上述问题的技术方案是:一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,包括衬底,衬底上设有沟道材料层,沟道材料层中部为栅电极区域,栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域,栅电极区域上沉积有栅介质层,栅介质层上沉积有第一金属层,第一金属层上沉积有第二金属层,源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。上述包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,所述第二金属层不被刻蚀剂腐蚀形成阻挡层,第一金属层被刻蚀剂腐蚀形成支撑层,第二金属层与第一金属层形成用于自对准的底切形状,从而构成栅电极。上述包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,所述沟道材料层为石 ...
【技术保护点】
一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:包括衬底,衬底上设有沟道材料层,沟道材料层中部为栅电极区域,栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域,栅电极区域上沉积有栅介质层,栅介质层上沉积有第一金属层,第一金属层上沉积有第二金属层,源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。
【技术特征摘要】
1.一种包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:包括衬底,衬底上设有沟道材料层,沟道材料层中部为栅电极区域,栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域,栅电极区域上沉积有栅介质层,栅介质层上沉积有第一金属层,第一金属层上沉积有第二金属层,源极区域和漏极区域上分别沉积源、漏金属以形成源、漏电极。2.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:所述第二金属层不被刻蚀剂腐蚀形成阻挡层,第一金属层被刻蚀剂腐蚀形成支撑层,第二金属层与第一金属层形成用于自对准的底切形状,从而构成自对准的源漏电极。3.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:所述沟道材料层为石墨烯。4.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:所述栅介质层为沉积的铝自氧化后形成的介质。5.根据权利要求1所述的包含金属堆叠栅电极的自对准纳米场效应管,其特征在于:所述源、漏金属的厚度小于第一金属层的厚度。6.根据权利要求1所述的包含金属堆...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。