The invention discloses a realization of thermal residual stress elimination of solar cell processing by silicon diffusion furnace, comprising a furnace body, a furnace body are arranged through the intake pipe of the internal and external conduction to the exhaust pipe, the exhaust pipe is arranged above the exhaust fan; the furnace body is arranged for placement silicon quartz boat; the furnace body comprises a placement surface, placed end face are arranged on the furnace door, a furnace body toward the outer radiating pipe extends is arranged between the edge of the end face of the resettlement and door; the furnace body, an exhaust pipe is arranged on the road the heat conduction to heat a plurality of ports pipeline, a plurality of radiating port along the axial heat pipe can effectively realize the uniform distribution; thermal residual stress elimination of solar cell processing by silicon diffusion furnace in silicon wafer annealing furnace process Eliminate the residual thermal stress inside the wafer to ensure the integrity of the wafer.
【技术实现步骤摘要】
可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉
本专利技术涉及太阳能电池的制备领域,尤其是一种可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉。
技术介绍
太阳能是一种洁净、无污染且可以循环利用的可再生能源,把太阳能转换为电能是有效利用太阳能的一项重要技术。自1839年Bequeral首先发现光伏效应到1954年贝尔实验室开发出效率为4.5%的单晶硅太阳电池,直到现在该市场仍然以每年36%左右的速度在增长,目前,太阳电池已经完成第一代晶体硅电池研究,正处于第二代薄膜电池研究高峰,并向第三代高效率电池研究努力。而作为现今占据太阳电池绝大部分市场的晶体硅太阳电池,其制备技术一直代表着整个太阳电池工业的制备技术水平。最近几年里,无论是在降低生产成本方面,还是在提升电池转换效率方面,晶体硅太阳电池的制备工艺都取得飞速的发展。晶体硅太阳电池是一种用晶体硅材料制成的太阳电池,大致分为单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池两种,这两种电池在很多
都有着广泛的应用,如人造卫星、太阳能热水器、通信通讯等领域。晶体硅太阳电池的核心结构是PN结的构建,其采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面形成的空间电荷区就叫做PN结。目前,关于PN结的制备方法主要有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法。现有技术在晶体硅太阳电池的生产中,几乎所有厂家都采用扩散的方法制备PN结,即在扩散炉内将掺杂介质扩散至硅片表面。然而,现有的扩散炉在完成扩散工艺后,其往往直接将硅片自扩散炉内取出;扩散炉内的工作温度往往达到800至950℃,直接将硅片自上述温度环境取出 ...
【技术保护点】
一种可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉,其包括有炉体,炉体之中设置有经由其外部导通至内部的进气管道与排气管道,排气管道之上设置有抽风机;所述炉体内部设置有用于安置硅片的石英舟;其特征在于,所述炉体之中包括有安置端面,安置端面之上设置有炉门,所述安置端面的边部与炉门之间设置有朝向炉体外部进行延伸的散热管道;所述炉体之中,排气管道之上设置有多个导通至散热管道之中的散热端口,多个散热端口沿散热管道的轴向均匀分布。
【技术特征摘要】
1.一种可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉,其包括有炉体,炉体之中设置有经由其外部导通至内部的进气管道与排气管道,排气管道之上设置有抽风机;所述炉体内部设置有用于安置硅片的石英舟;其特征在于,所述炉体之中包括有安置端面,安置端面之上设置有炉门,所述安置端面的边部与炉门之间设置有朝向炉体外部进行延伸的散热管道;所述炉体之中,排气管道之上设置有多个导通至散热管道之中的散热端口,多个散热端口沿散热管道的轴向均匀分布。2.按照权利要求1所述的可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉,其特征在于,所述散热管道之上设置有多个采用环形结构的冷凝套管,多个冷凝套管沿散热管道的轴向均匀分布;所述排气管道之中,每一个散热端口之上设置有采用环形结构的辅助冷凝套管,多个冷凝套管以及多个辅助冷凝套管内均填充有冷凝介质,且多个冷凝套管以及多个辅助冷凝套管中冷凝介质的温度在散热管道的延伸方向上逐渐降低。3.按照权利要求2所述的可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉,其特征在于,所述散热管道之中,任意两个相邻的散热端口之间分别设置有导流端体,导流端体沿散热管道的内壁呈环形延伸,导流端体在散热管道轴向上的侧端面均采用向导流端体内部弯曲的曲面结构。4.按照权利要求3所述的可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉,其特征在于,所述散热管道包括有连接至炉体安置端面之上的第一管道,以及设置在第一管道端部的第二管道;所述第一管道的长度至多为20厘米,第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴卫伟,皇韶峰,
申请(专利权)人:徐州中辉光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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