带用于射频吸收器的屏障的半导体封装制造技术
Semiconductor package with barrier for radio frequency absorber
The present invention relates to a semiconductor package with a barrier for a radio frequency absorber. A semiconductor package and a method of manufacturing a semiconductor package are described. In some embodiments, the semiconductor package includes a housing comprising a first compartment and a second compartment, wherein the first compartment and the second compartment are separated from each other. The semiconductor package may also include an integrated device, a bare sheet disposed in the first compartment, and a radio frequency (RF) absorber arranged in the second compartment.
【技术实现步骤摘要】
带用于射频吸收器的屏障的半导体封装
本公开总地涉及带用于射频(RF)吸收器的屏障的半导体封装及其制造方法。
技术介绍
各种类型的半导体封装可以包括极高频RF集成器件裸片(例如，发射器或接收器前端)，其会导致干扰封装外的电子部件或以其它方式扰乱封装外的电子部件。封装盖可用于收容从封装内，诸如例如从具有高频器件裸片(例如，E带或其它高频器件)的封装内射出的RF发射物。虽然这些盖能够有益地屏蔽周围的电路部件免于电磁干扰，但是盖也会导致封装内的不可预期的且电子破坏性的空腔谐振，这会扰乱其中的电路部件。为解决这些可能的问题，RF吸收器可布置在封装内以减弱和/或吸收由封装内的器件裸片射出的RF波。形成一些RF吸收器的部分的材料可以在密封环境中释放诸如氢气和硫(以及其他气体)之类的气体。这种除气可能损坏各种类型的集成器件裸片中的有源部件。为了保护器件裸片免于除气，可以在封装的空腔内部设置吸气材料。然而，吸气材料是昂贵的，并且它们的氢去除效率会随时间降低。结果，随着吸气材料的引入，大量高频器件的生产变得非常昂贵。而且，随着吸气材料的氢去除效率降低，从RF吸收器释放的氢可能最终污染...
【技术保护点】
半导体封装，包括：壳体，其包括第一隔室和第二隔室，所述第一隔室和第二隔室彼此分开；集成器件裸片，其布置在所述第一隔室内；以及射频(RF)吸收器，其布置在所述第二隔室内。
【技术特征摘要】
2016.03.10 US 15/066,4541.半导体封装，包括：壳体，其包括第一隔室和第二隔室，所述第一隔室和第二隔室彼此分开；集成器件裸片，其布置在所述第一隔室内；以及射频(RF)吸收器，其布置在所述第二隔室内。2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述RF吸收器包括铁磁材料。3.如权利要求1所述的半导体封装，其中在所述壳体中不设置吸氢材料。4.如权利要求1所述的半导体封装，还包括在所述第一隔室与第二隔室之间的分隔件，其中所述分隔件将所述第一隔室和第二隔室彼此分开。5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述壳体包括：盖；以及基板，所述集成器件裸片安装到所述基板上，所述盖安装到所述基板上，在所述集成器件裸片上方。6.如权利要求5所述的半导体封装，其中所述盖还包括通气孔。7.如权利要求6所述的半导体封装，其中所述通气孔限定了在0.1mm2至3.0mm2范围内的面积。8.如权利要求5所述的半导体封装，其中所述盖包括：罩；以及分隔件，其中所述第二隔室布置在所述罩与所述分隔件之间，以及其中所述第一隔室布置在所述分隔件与所述基板之间。9.如权利要求8所述的半导体封装，其中所述壳体还包括框架，并且其中所述分隔件、所述框架和所述基板配合以限定所述第一隔室。10.如权利要求9所述的半导体封装，其中所述框架位于所述分隔件与所述基板之间，其中所述框架的底面附接到所述基板，其中所述框架的顶面与所述分隔件或所述罩耦合，并且其中所述第一隔室部分地由所述框架的一个或多个内部分隔件限定，所述第一隔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·波罗格尼亚，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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