一种集成电子装置及其生产方法制造方法及图纸

技术编号:16176975 阅读:96 留言:0更新日期:2017-09-09 04:20
本申请公开了一种集成电子装置,包括:底板、有源器件、无源器件、塑封料和导通件;该有源器件设置于该底板上;该塑封料覆盖在该有源器件和未被该有源器件覆盖的底板之上;该无源器件设置于该塑封料之上;该导通件穿透该塑封料,并导通连接该塑封料覆盖之下的有源器件和设置于该塑封料之上的无源器件。本申请实施例还提供了相应的生产方法。本申请技术方案将有源器件和无源器件在同一平面上堆叠实现,不仅减小了集成电子装置的平层面积,提高了集成电子装置的功率密度,而且通过导通件直接导通处于上下层的有源器件和无源器件,还缩短了导通路径,便于电流流通,而且也不需要设置放置无源器件的架子,不仅加工简单,而且也方便填充塑封料。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电子装置及其生产方法
本申请涉及电子
,具体涉及一种集成电子装置及其生产方法。
技术介绍
电子产品通常都集成有有源器件和无源器件,有源器件和无源器件之间通过电路导通连接。有源器件就是需要电源供电才能正常工作的器件,无源器件是电路中不需要额外电源供电也可以正常工作的器件。电子产品可以是光模块、手机、可穿戴设备、通信电源等对体积和功率密度有要求的产品,以通信电源为例,封装电源(PowerSupplyInPackage,PSIP)模块包括集成电路(IntegratedCircuit,IC)、金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)等有源器件,还包括电感和电容等无源器件。当前电子产品中无源器件和有源器件的布设方式通常如图1所示,将有源器件和无源器件都平铺布设在框架上,无源器件布设在有源器件的周围,无源器件和有源器件通过框架上的电路导通连接。由图1A可见,这种平铺布设的方式导致例如PSIP模块等电子产品在水平面上的平层面积过大,在电子产品的功率一定的情况下,面积越大,则功率密度就越小,而且,无源器件和有源器件之间需要通过框架上的导线连通,导线线路较长,也不利于电流的流通。现有技术中上述电子产品中也出现了如图1B所示的3D堆叠结构,1B所示的方案采用框架折弯成型,通过架空方式将无源器件架空在有源器件上方,这种堆叠方式从一定程度上可以减小电子产品的平层面积,但是这种方式内部结构复杂,加工难度大,而且导致填充塑封料难点加大,易存在空洞,导致分层。
技术实现思路
为了解决现有技术中平铺布设导致电子产品平层面积过大,架空布设加工复杂,填充难度大的问题,本申请实施例提供一种集成电子装置,将无源器件和有源器件布设在上下两层,通过塑封料隔离该无源器件和有源器件,并通过连接件连接上下层的无源器件和有源器件,这样不仅减小了集成电子装置的平层面积,而且加工简单,填充方便。本申请实施例还提供了该集成电子装置的生产方法。本申请第一方面提供一种集成电子装置,该集成电子装置可以是电子产品中的集成模块,例如:PSIP模块,该集成电子装置包括:底板、有源器件、无源器件、塑封料和导通件;该有源器件设置于该底板上;该塑封料覆盖在该有源器件和未被该有源器件覆盖的底板之上;该无源器件设置于该塑封料之上;该导通件穿透该塑封料,并导通连接该塑封料覆盖之下的有源器件和设置于该塑封料之上的无源器件。其中,有源器件可以是集成电路和晶体管等,无源器件可以是电感和电容等。从上述第一方面可以看出,将有源器件和无源器件在同一平面上堆叠实现,不仅减小了集成电子装置的平层面积,提高了集成电子装置的功率密度,而且通过导通件直接导通处于上下层的有源器件和无源器件,还缩短了导通路径,便于电流流通,而且也不需要设置放置无源器件的架子,不仅加工简单,而且也方便填充塑封料,不会出现塑封料有空洞导致分层的现象。结合第一方面,在第一种可能的实现方式中,该导通件为电镀铜件,该电镀铜件为通过在覆盖该有源器件的塑封料上开设导通孔,并在该导通孔上电镀铜得到的,该导通孔底部为该有源器件。在覆盖有源器件的塑封料上根据需求开设一个或多个导通孔,并在导通孔上电镀铜,从而形成用于导通电流的电镀铜件。从上述第一方面第一种可能的实现方式中可以看出,通过电镀铜件导通有源器件和无源器件,不仅导电效果好,而且电镀铜工艺成熟,实现起来非常方便。结合第一方面,在第二种可能的实现方式中,该导通件为锡料件,该锡料件为通过在覆盖该有源器件的塑封料上开设导通孔,并在钻出的导通孔上熔化锡料得到的,该导通孔底部为该有源器件。从上述第一方面第二种可能的实现方式中可以看出,通过熔化锡料实现有源器件和无源器件的导通,工艺上比电镀铜实现起来还要简单。结合第一方面,在第三种可能的实现方式中,该导通件为铜柱,该铜柱安装在该塑封料的导通孔上,该导通孔为通过在覆盖该有源器件的塑封料上钻孔得到的,该导通孔底部为该有源器件。从上述第一方面第三种可能的实现方式中可以看出,直接在导通孔上安装铜柱,只是安装个配件,不需要引入化学工艺,实现起来更加简单。本申请第一方面第一种、第二种和第三种中的导通件,不限于电镀、熔化锡料和安装铜柱等方式和材料,只要能导通连接有源器件和无源器件即可。结合第一方面,第一方面第一种、第二种和第三种中的任意一种,在第四种可能的实现方式中,集成电子装置还包括上层塑封料、上层有源器件和上层导通件,该上层塑封料覆盖于该无源器件之上;该上层有源器件设置于该上层塑封料之上;该上层导通件穿透该上层塑封料,并导通连接该上层塑封料覆盖之下的无源器件和设置于该上层塑封料之上的上层有源器件。从上述第一方面第四种可能的实现方式中可以看出,在无源器件上再加上一层塑封料和有源器件,可以实现无源器件的双层互联,更进一步减少了平层面积,提高了电流的功率密度。本申请第二方面提供一种上述第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的集成电子装置的生产方法,包括:在底板上设置有源器件;在该有源器件之上,以及未被该有源器件覆盖的底板之上填充塑封料进行塑封;在覆盖有该有源器件的塑封料上开设导通孔;在该导通孔上设置导通件;在该塑封料上设置无源器件,该无源器件通过该导通件与该有源器件导通连接。其中,有源器件可以是集成电路和晶体管等,无源器件可以是电感和电容等。从上述第一方面可以看出,将有源器件和无源器件在同一平面上堆叠实现,不仅减小了集成电子装置的平层面积,提高了集成电子装置的功率密度,而且通过导通件直接导通处于上下层的有源器件和无源器件,还缩短了导通路径,便于电流流通,而且也不需要设置放置无源器件的架子,不仅加工简单,而且也方便填充塑封料,不会出现塑封料有空洞导致分层的现象。结合第二方面,在第一种可能的实现方式中,通过在该导通孔上电镀铜的方式设置该导通件。从上述第二方面第一种可能的实现方式中可以看出,通过电镀铜件导通有源器件和无源器件,不仅导电效果好,而且电镀铜工艺成熟,实现起来非常方便。结合第二方面,在第二种可能的实现方式中,通过在该导通孔上熔化锡料的方式设置该导通件。从上述第二方面第二种可能的实现方式中可以看出,通过熔化锡料实现有源器件和无源器件的导通,工艺上比电镀铜实现起来还要简单。结合第二方面,在第三种可能的实现方式中,通过在该导通孔上安装铜柱的方式设置该导通件。从上述第二方面第三种可能的实现方式中可以看出,直接在导通孔上安装铜柱,只是安装个配件,不需要引入化学工艺,实现起来更加简单。结合第二方面,第一方面第一种、第二种和第三种中的任意一种,在第四种可能的实现方式中,该生产方法还包括:在该无源器件之上覆盖上层塑封料;在该上层塑封料之上设置上层有源器件;在该上层塑封料上开设上层导通孔;在该上层导通孔上设置上层导通件,该上层导通件导通连接该无源器件和该上层有源器件。从上述第二方面第四种可能的实现方式中可以看出,在无源器件上再加上一层塑封料和有源器件,可以实现无源器件的双层互联,更进一步减少了平层面积,提高了电流的功率密度。本申请第三方面提供一种包含上述第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的集成电子装置的电子设备,所述电子设备还包括塑封壳,该塑封壳用于从整体上本文档来自技高网...
一种集成电子装置及其生产方法

【技术保护点】
一种集成电子装置,其特征在于,包括:底板、有源器件、无源器件、塑封料和导通件;所述有源器件设置于所述底板上;所述塑封料覆盖在所述有源器件和未被所述有源器件覆盖的底板之上;所述无源器件设置于所述塑封料之上;所述导通件穿透所述塑封料,并导通连接所述塑封料覆盖之下的有源器件和设置于所述塑封料之上的无源器件。

【技术特征摘要】
1.一种集成电子装置,其特征在于,包括:底板、有源器件、无源器件、塑封料和导通件;所述有源器件设置于所述底板上;所述塑封料覆盖在所述有源器件和未被所述有源器件覆盖的底板之上;所述无源器件设置于所述塑封料之上;所述导通件穿透所述塑封料,并导通连接所述塑封料覆盖之下的有源器件和设置于所述塑封料之上的无源器件。2.根据权利要求1所述的集成电子装置,其特征在于,所述导通件为电镀铜件,所述电镀铜件为通过在覆盖所述有源器件的塑封料上开设导通孔,并在所述导通孔上电镀铜得到的,所述导通孔底部为所述有源器件。3.根据权利要求1所述的集成电子装置,其特征在于,所述导通件为锡料件,所述锡料件为通过在覆盖所述有源器件的塑封料上开设导通孔,并在钻出的导通孔上熔化锡料得到的,所述导通孔底部为所述有源器件。4.根据权利要求1所述的集成电子装置,其特征在于,所述导通件为铜柱,所述铜柱安装在所述塑封料的导通孔上,所述导通孔为通过在覆盖所述有源器件的塑封料上钻孔得到的,所述导通孔底部为所述有源器件。5.根据权利要求1-4任一所述的集成电子装置,其特征在于,所述集成电子装置还包括上层塑封料、上层有源器件和上层导通件,所述上层塑封料覆盖于所述无源器件之上;所述上层有源器件设置于所述上层塑封料之上;所述上层导通件穿透所述上层塑封料,并导通连...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲍宽明王军鹤侯召政
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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