一种倒置OLED器件制造技术

本发明专利技术公开了一种倒置OLED器件，包括阴极基底，其上纳米注入层，在纳米注入层上沉积一层激子隔离层，在激子隔离层上沉积一层电子传输层，所述电子传输层上方次依次为发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极。本发明专利技术具有解决倒置OLED器件电子空穴注入不平衡的问题，显著提高电子注入效率、降低启亮电压，避免非辐射跃迁损失，最终大幅提高OLED器件的发光效率的优点。

An inverted OLED device

The invention discloses an inverted OLED device includes a cathode substrate, the nano injection layer, the implanted layer deposited on the isolation layer in the exciton exciton in nano, isolation layer deposited on the electron transport layer and the electronic transmission layer in the luminescent layer, a hole transport layer and hole injection layer anode. The present invention is to solve the problem of unbalanced injection device OLED inverted electron hole, significantly improve the electron injection efficiency and reduce the turn-on voltage, avoid non radiative losses, eventually increase the luminescence efficiency of the device has the advantages of OLED.

【技术实现步骤摘要】
一种倒置OLED器件
本专利技术涉及顶发射有机电致发光器件
，特别涉及一种倒置OLED器件。
技术介绍
有机发光二极管（OLED）同时具备全固态、自发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点，受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索，器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化，有机电致发光已经取得了长足进步，目前已经实现了产业化。根据有关研究机构的预测，OLED面板2020年产值将超过600亿美元。但是要在平板显示市场上充分发挥其优势，有机电致发光器件的发光效率、驱动电压、寿命、器件稳定性等方面还需要进一步改善。传统的OLED器件结构采用诸如Al、Ag等低功函数的金属材料作为阴极。由于此类的金属材料较活泼，在空气条件下容易被氧化，引起电极功函数的升高，造成电子注入性能的下降，并最终降低器件的寿命。采用倒置OLED器件结构可以很好的解决这一问题，提高器件的寿命。倒置结构OLED通常使用传统的玻璃或者柔性衬底上制备的ITO作为阴极。由于ITO的功函数较高(未处理的ITO功函数4.5eV左右)，通常其是作为一种阳极电极使用。当用作阴极时，较高的功函数造成器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒置OLED器件，其特征在于，包括阴极基底(1)，其上为纳米注入层(2)，在纳米注入层(2)上沉积一层激子隔离层(3)，在激子隔离层(3)上沉积一层电子传输层(4)，所述电子传输层(4)上方次依次为发光层(5)、空穴传输层(6)、空穴注入层(7)、阳极(8)。

【技术特征摘要】
1.一种倒置OLED器件，其特征在于，包括阴极基底(1)，其上为纳米注入层(2)，在纳米注入层(2)上沉积一层激子隔离层(3)，在激子隔离层(3)上沉积一层电子传输层(4)，所述电子传输层(4)上方次依次为发光层(5)、空穴传输层(6)、空穴注入层(7)、阳极(8)。2.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的阴极基底(1)的材质包括ITO、FTO、Si、石墨烯、碳纳米管中的一种，其厚度在100~200nm。3.如权利要求1所述的倒置OLED器件，其特征在于，所述的纳米注入层(2)采用真空热蒸发的方式，使用低功函数金属材料制备；厚度在0.25nm~2nm，沉积速率为0.02nm/s；所述的纳米注入层(2)呈不连续的分散的纳米球颗粒形貌。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：晋芳铭，赵铮涛，李文连，任清江，王仕伟，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34