OLED基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的OLED基板，包括：基底，设置在所述基底上的开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。因此，可以保证开关晶体管的开关速度，提高基板的性能。而且，较现有技术中采用相同材料的有源层的开关晶体管和驱动晶体管时，将驱动晶体管的有源层制作的较宽，以降低驱动晶体管的有源层的迁移率的技术方案而言，本申请中无需加宽驱动晶体管的有源层的宽度，从而可以减小驱动晶体管的尺寸，进而可以实现更高分辨的显示。

【技术实现步骤摘要】
OLED基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机发光显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransisitorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)，具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM,PassiveMatrix)和主动矩阵式(AM，ActiveMatrix)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。如图1所示，一般而言主动矩阵式有机发光显示器件的驱动电路包括，开关晶体管、驱动晶体管和有机发光器件(OLED)。开关晶体管的栅极连接扫描线，其漏极(或源极)连接数据线5，其源极(或漏极)连接驱动晶体管的栅极。驱动晶体管的源极(或漏极)连接电源线，其漏极(或源极)连接OLED的阳极，OLED的阴极接地，在驱动晶体管的源极(或漏极)与栅极之间连接有存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED基板，包括：基底，设置在所述基底上的开关晶体管和驱动晶体管，其特征在于，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板，包括：基底，设置在所述基底上的开关晶体管和驱动晶体管，其特征在于，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于50cm2/VS；所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率为1～10cm2/VS。3.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一种；所述驱动晶体管的有源层的材料包括IGZO或IGZTO。4.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层包括依次设置在所述上方的两层结构，其中，所述有源层的第一层结构与所述驱动晶体管的有源层同层设置且材料相同。5.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层图形的步骤；其中，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。6.根据权利要求5所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的图形的步骤，具体包括：在基底上，形成第一半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述驱动晶体管的有源层的图形；在完成上述步骤的基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述开关晶体管的有源层的图形；或者，在基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11