缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法技术

本发明专利技术提出一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，包括以下步骤：S1：根据预设的目标缺陷尺寸选取单元缺陷尺寸；S2：获取单元缺陷漏磁信号；S3：对单元缺陷漏磁信号进行频域变换，得到变换后的频域信号；S4：对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作，得到平移变换后的两个频域信号；S5：将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号进行组合操作，得到组合后的频域信号；S6：将组合后的频域信号进行反向频域变换，得到目标缺陷的漏磁信号。本发明专利技术不需要对目标缺陷再次进行有限元等复杂计算，具有计算模型简单、速度快的优点。

【技术实现步骤摘要】
缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法
本专利技术涉及无损检测
，特别涉及一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法。
技术介绍
缺陷漏磁信号计算是漏磁检测与缺陷评估的基础。由于缺陷漏磁信号对缺陷尺寸的不完全映射，通常需要构建根据已知缺陷尺寸求解漏磁信号的正向模型，对模型中的缺陷尺寸参数进行迭代更新来逼近目标漏磁信号，从而实现缺陷尺寸的反演。因此如何快速准确地计算缺陷漏磁信号，对于漏磁检测与缺陷评估具有重要的意义。在现有的相关技术中，主要采用磁偶极子法和有限元法直接对目标缺陷进行漏磁信号的计算，但是在漏磁信号迭代计算过程中存在大量的重复性冗余工作，大大降低了漏磁信号的计算效率。为了提高目标缺陷漏磁信号的计算效率，可以考虑利用预先计算的已知缺陷漏磁信号去表示目标缺陷漏磁信号，从而在原理上能够大大提高目标缺陷漏磁信号的计算效率。然而，目标缺陷尺寸与其漏磁信号间存在严重的非线性关系，因此无法利用预先计算的已知缺陷漏磁信号或其组合直接去表示目标缺陷漏磁信号。目前尚未有一种方法可以根据预先计算的已知缺陷漏磁信号计算目标缺陷的漏磁信号。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决上述技术问题之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：根据预设的目标缺陷尺寸d1，d2，d3，选取单元缺陷尺寸a1，a2，a3；S2：获取单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)；S3：对单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)进行频域变换，得到变换后的频域信号Ta(α1,α2,α3)；S4：对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作，得到平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3)；S5：将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3)进行组合操作，得到组合后的频域信号Tcomb(α...

【技术特征摘要】
1.一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：根据预设的目标缺陷尺寸d1，d2，d3，选取单元缺陷尺寸a1，a2，a3；S2：获取单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)；S3：对单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)进行频域变换，得到变换后的频域信号Ta(α1,α2,α3)；S4：对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作，得到平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3)；S5：将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号Ta1(α1,α2,α3)和Ta2(α1,α2,α3)进行组合操作，得到组合后的频域信号Tcomb(α1,α2,α3)；S6：将组合后的频域信号Tcomb(α1,α2,α3)进行反向频域变换，得到目标缺陷的漏磁信号Htar(x1,x2,x3)。2.根据权利要求1所述的缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其特征在于，所述目标缺陷是单元缺陷沿垂直磁化方向的组合，单元缺陷尺寸a1，a2，a3与目标缺陷尺寸d1，d2，d3之间满足下述条件：a1＝d1，a2＝d2/2，a3＝d3其中，a1和d1是缺陷的长度，沿磁化方向，a2和d2是缺陷的宽度，垂直磁化方向，a3和d3是缺陷的深度，沿被测材料的厚度方向。3.根据权利要求1所述的缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其特征在于，所述单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)是根据单元缺陷尺寸a1，a2，a3通过预设算法计算得到的，所述单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)中x1为磁化方向，x2为垂直磁化方向，x3为被测材料的厚度方向，满足笛卡尔坐标规则。4.根据权利要求3所述的缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其特征在于，所述预设算法至少包括：磁偶极子法、有限元法或神经网络法。5.根据权利要求1所述的缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄松岭，彭丽莎，赵伟，张宇，王珅，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11