【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于半导体装置制造的集成电路及其加工。特别地，本专利技术提供了一种制造通常称为DRAM的动态随MM储器的电容器结构 的方法和结构。但是应该认识到，本专利技术的适用范围要广泛得多。
技术介绍
集成电路已经将在单个硅片上制造的互连装置由几个发展到数百万 个。传统的集成电路所提供的性能及复杂程度已远远超过了最初所想象 的。为了提高复杂度和电路密度(即，在给定的芯片面积上能够封装的装 置数量)，最小的装置特征尺寸，也就是爿>知的装置"几何形状"，已经随 着每一代集成电路而变得更小。增加电路密度不仅提高了集成电路的复杂度和性能，而且为用户提供 了更低成本的部件。 一套集成电路或芯片生产设备可能要花费几亿甚至几 十亿美元。每个生产设备都有一定的晶片生产量，而且每个晶片上都要有 一定数量的集成电路。因此，通过把集成电路上的各个装置做得更小，就 可以在每一个晶片上4故更多的装置，由此增加生产设备的产量。将装置做得更小是非常具有挑战性的，因为集成电路制造过程中的每一道工艺都有 其局限性。也就是说，特定的工艺典型地只能减低到某个特征尺寸，然后 就需要改变工艺或装...
【技术保护点】
一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区； 形成覆盖所述表面区的平面化的介电层，所述平面化的介电层有电容器区和外围区，所述外围区有凹陷区，所述凹陷区具有约１微米或更小的尺度； 在 所述电容器区内形成一个或多个圆柱形堆叠式电容器结构； 形成覆盖所述一个或多个圆柱形堆叠式电容器结构及所述外围区的覆盖式表面粗糙多晶硅材料，所述覆盖式表面粗糙多晶硅材料有一部分被包括所述凹陷区的外围区的一部分俘获； 形成覆盖所述一 个或多个圆柱形堆叠式电容器结构但至少暴露出所述外围区中凹陷区的掩模层；...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金玲，林大成，游智星，程蒙召，傅焕松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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