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本发明提供了一种形成圆柱形堆叠式电容器结构的方法。提供半导体衬底。在存储单元区中形成存储节点结构。形成覆盖所述存储节点结构的介电层。利用图案化和第一蚀刻工艺暴露所述存储节点。形成覆盖所述暴露的存储节点的多晶硅层和表面粗糙多晶硅层。掩蔽所述存...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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