一种多晶硅的清洁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅的清洁装置。一种多晶硅的清洁装置，包括水箱与清洗箱，水箱设置有通水管，通水管设置有第一阀门，通水管通向清洗箱，清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱，超声波清洗箱设置有第一清洁管，第一清洁管设置有第二阀门，第一漂洗箱设置有第二清洁管，第二清洁管设置有第三阀门，第二漂洗箱设置有第三清洁管，第三清洁管设置有第四阀门，第三漂洗箱设置有第四清洁管，第四清洁管设置有第五阀门，第三漂洗箱连接有第一回流管，收集池设有第二回流管，水箱内设有加热层。本实用新型专利技术降低脏片的出现概率，提高了硅片清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅的清洁装置
本技术涉及光伏行业的多晶硅领域，具体公开一种多晶硅的清洁装置。
技术介绍
硅片清洗机器共有10个水槽，分别是待洗槽、超声清洗槽、超声漂洗槽。在清洗硅片时需将各槽温度控制在30～50℃之间，因为温度升高时非离子表面活性剂逃离水的趋势增强，吸附量增大。温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显的，当温度接近于浊点时，清洗效果最好。但是在清洗过程中硅片经过清洗剂超声清洗后的污浊物质会产生大量泡沫，在经过漂洗槽是必须打开溢流开关将泡沫冲出水槽排至下水渠。由于打开溢流以后进入清洗槽内的纯水没有进过加热处理会影四个漂洗槽内清洗的水温，会直接影响到硅片清洗出来的效果。
技术实现思路
根据现有技术的不足，本技术提供一种结构简单，节约水资源，控制清洁温度，提高清洁效率的多晶硅清洁装置。为了实现上述目的，本技术一种多晶硅的清洁装置所采用的技术方案为：一种多晶硅的清洁装置，包括水箱与清洗箱，所述水箱设置有通水管，所述通水管设置有第一阀门，所述通水管通向清洗箱，所述清洗箱有高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱，所述超声波清洗箱设置有第一清洁管，第一清洁管连接通水管，所述第一清洁管设置有第二阀门，所述第一漂洗箱设置有第二清洁管，第二清洁管连接通水管，所述第二清洁管设置有第三阀门，所述第二漂洗箱设置有第三清洁管，第三清洁管连接通水管，所述第三清洁管设置有第四阀门，所述第三漂洗箱设置有第四清洁管，第四清洁管连接通水管，所述第四清洁管设置有第五阀门，所述第三漂洗箱连接有第一回流管，所述第一回流管通向收集池，所述收集池设有第二回流管，第二回流管通向水箱，水箱内设有加热层。收集池与回流管用于清洁箱中的液体，并转送到水箱，增加水的利用率，做到不浪费，设立三个漂洗箱帮助硅片更好的进行漂洁，降低脏片出现的概率，提高工作效率。所述收集池内设有加热层。收集池内设计加热层，以防第三漂洗箱中液体在工作时，液体温度降低，收集池中加热层可以实现加热。所述水箱与收集池外均设有保温层。预防外源冷气的进入，保证水箱以及收集池的温度，减少加热层的使用，减少能耗。所述收集池中隔网，所述隔网设置在收集池的两侧内壁上。隔网可以拦截水中的杂质以及遗漏的硅片，以免造成浪费。所述水箱内设有温度控制器。对温度进行控制，一旦温度低于设定的区域，加热层对液体进行加热。本技术的有益效果为：利用水箱与收集池的连接形成水循环，利用水循环节约了用水，水箱内部加入加热层，更好的控制水温，从生产方面更好的控制并降低了脏片出现的几率，提高了硅片清洗的效果。附图说明图1为本技术的结构示意图。其中，1水箱，2产品放置箱，3待清洗箱，4超声波清洗箱，41第一清洁管，42第二阀门，5第一漂洗箱，51第二清洁管，52第三阀门，6第二漂洗箱，61第三清洁管，62第四阀门，7第三漂洗箱，71第四清洁管，72第五阀门，8干燥箱，9收集池，91第一回流管，92第二回流管，93隔网，10加热层，11保温层，12通水管，13第一阀门，14温度控制器。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本技术，应理解这些实施方式仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围，在阅读了本技术之后，本领域技术人员对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。如图1所示，一种多晶硅的清洁装置，包括水箱1与清洗箱，水箱1内设有加热层10，水箱1外设有保温层11，水箱1内设有温度控制器14，水箱1设置有通水管12，通水管12设置有第一阀门13，通水管12通向清洗箱，清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱2、待清洗箱3、超声波清洗箱4、第一漂洗箱5、第二漂洗箱6、第三漂洗箱7和干燥箱8，超声波清洗箱4设置有第一清洁管41，第一清洁管41连接通水管12，第一清洁管41设置有第二阀门42，第一漂洗箱5设置有第二清洁管51，第二清洁管51连接通水管12，第二清洁管51设置有第三阀门52，第二漂洗箱6设置有第三清洁管61，第三清洁管61连接通水管12，第三清洁管61设置有第四阀门62，第三漂洗箱7设置有第四清洁管71，第四清洁管71连接通水管12，第四清洁管71设置有第五阀门72，第三漂洗箱7连接有第一回流管91，第一回流管91通向收集池9，收集池9内设有加热层10，收集池9外设有保温层11，收集池9的两侧内壁上设有隔网93，收集池设有第二回流管92，第二回流管92通向水箱1。工作时，硅片放置在产品放置箱2，水箱1中的加热层10将液体加热到30～50℃之间，在加热期间，产品放置箱2将硅片送到待清洗箱3，完成加热后，水箱1中的温度控制器14将温度控制在30～50℃之间，水箱1外设有的保温层11，进一步保证水箱内的温度，不让冷气进入水箱1，水箱1将加热后的液体通过通水管12送到第一清洁管41，第二阀门42打开，第一清洁管41将液体送到超声波清洗箱4，超声波清洗箱4对硅片进行清洁，并将清洁后的硅片送往第一漂洗箱5，通水管12将液体送到第二清洁管51，第三阀门打开52，第二清洁管51将液体送到第一漂洗箱5，清洁时会留下泡沫，第一漂洗箱5对硅片进行漂洁，硅片通过第一漂洗箱5的一次漂洁泡沫不能完全消失，再将硅片送往第二漂洗箱6，通水管12将液体送到第三清洁管61，第三阀门打开62，第三清洁管61将液体送到第二漂洗箱6，第二漂洗箱6对硅片再次进行漂洁，硅片中的泡沫还未完全消失，再次将硅片送往第三漂洗箱7，通水管12将液体送到第四清洁管51，第五阀门52打开，第四清洁管71将液体送到第三漂洗箱7，第三漂洗箱7再一次对硅片进行漂洁，以至泡沫完全消失，第三漂洗箱7下连接有第一回流管91，第三漂洗箱7完成漂洁后，将硅片送往干燥箱8，第三漂洗箱7通过第一回流管91将液体送往收集池9，收集池9中隔网93将液体进行过滤，以免有杂质和遗漏的硅片，加热层10将液体加温到30～50℃之间，通过保温层11进行保温，第二回流管92将加热后的液体送往水箱1，以此循环，完成工作后，关闭第一阀门13，第二阀门42，第三阀门52，第四阀门62，第五阀门72，此时实现了整个装置的工作。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅的清洁装置，包括水箱与清洗箱，其特征在于：所述水箱设置有通水管，所述通水管设置有第一阀门，所述通水管通向清洗箱，所述清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱，所述超声波清洗箱设置有第一清洁管，第一清洁管连接通水管，所述第一清洁管设置有第二阀门，所述第一漂洗箱设置有第二清洁管，第二清洁管连接通水管，所述第二清洁管设置有第三阀门，所述第二漂洗箱设置有第三清洁管，第三清洁管连接通水管，所述第三清洁管设置有第四阀门，所述第三漂洗箱设置有第四清洁管，第四清洁管连接通水管，所述第四清洁管设置有第五阀门，所述第三漂洗箱连接有第一回流管，所述第一回流管通向收集池，所述收集池设有第二回流管，第二回流管通向水箱，水箱内设有加热层。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅的清洁装置，包括水箱与清洗箱，其特征在于：所述水箱设置有通水管，所述通水管设置有第一阀门，所述通水管通向清洗箱，所述清洗箱由高到低依次设置有产品放置箱、待清洗箱、超声波清洗箱、第一漂洗箱、第二漂洗箱、第三漂洗箱和干燥箱，所述超声波清洗箱设置有第一清洁管，第一清洁管连接通水管，所述第一清洁管设置有第二阀门，所述第一漂洗箱设置有第二清洁管，第二清洁管连接通水管，所述第二清洁管设置有第三阀门，所述第二漂洗箱设置有第三清洁管，第三清洁管连接通水管，所述第三清洁管设置有第四阀门，所述第三漂洗箱设置有第四清洁管，第四清洁管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘爱军，陈永庆，
申请(专利权)人：江苏金晖光伏有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32