一种激光晶圆切割机共用切割盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种激光晶圆切割机共用切割盘，包括盘体，盘体上均匀设有数个安装孔，盘体下表面设有真空腔，盘体上表面径向从内至外依次具有两个以上的切割台面，其中，位于盘体中心的切割台面为圆形台面，其余为与圆形台面同心的圆环形台面，圆形台面与圆环形台面均呈同一水平面，且相邻两切割台面之间均设有与圆形台面同心的呈圆环形凹面的切割离焦避让区，圆形台面上开有与真空腔相连通的真空吸附槽。该切割盘结构简单、使用方便,可根据需要兼容两种以上尺寸的晶圆片的切割，无需更换，并且在激光切割时，不会造成对晶圆片的伤害，可满足了二极管、可控硅不同直径晶圆的共线生产激光切割的要求。

Common cutting disc for laser wafer cutting machine

The utility model discloses a laser cutting machine in cutting disc comprises a disc body, disc body is uniformly provided with a plurality of mounting holes, the lower surface of the body is provided with a vacuum cavity plate, disc radial surface on the body from the inside to the outside in turn has two or more cutting table, which is located in the heart of the cutting plate body the table is round table, the table for the circular and concentric circular mesa, round table and circular table showed the same level, and between two adjacent cutting table are provided with a concentric circular mesa cutting circular concave defocusing avoidance zone, provided with a circular groove communicated with the vacuum adsorption vacuum chamber. The cutting wheel has the advantages of simple structure, convenient use, according to the wafer cutting needs to be compatible with more than two dimensions, without replacement, and in laser cutting, will not cause damage to the wafer, which can meet the requirements of different silicon wafer diameter collinear production of laser cutting, diode.

【技术实现步骤摘要】
一种激光晶圆切割机共用切割盘
本技术属于切割盘，具体涉及一种激光晶圆切割机共用切割盘。
技术介绍
晶圆激光切割设备是一种用于玻璃钝化二极管、可控硅半导体晶圆的专用激光切割设备。晶圆切割是半导体晶圆制造工艺当中的一个不可或缺的工序。在晶圆生产中，需要将在一片晶圆同时制作几千个芯片，沿切割道，通过激光切割成单一的芯片。很多二极管、可控硅晶圆制造厂存在着两种不同直径的晶圆共同生产的现状，例如3英寸晶圆片和4英寸晶圆片共线生产。传统的激光晶圆切割设备所采用的切割盘是3英寸和4英寸独立的，受激光切割特性的影响，实际切割3英寸尺寸时，激光行程一般大于3英寸，若使用4英寸切割盘切割3英寸晶圆，则会损伤4英寸切割盘。生成作业时，依据不同规格的晶圆片安装使用对应的切割盘，切割盘安装时产生的微米级高度误差都将导致激光焦点高低的变化，影响切割品质。因此，在实际生产中，依据晶圆直径每天更换多次切割盘后，都需要进行繁琐的切割盘高度调校工作，影响了生产效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种激光晶圆切割机共用切割盘，可同时兼容两种以上尺寸产品的切割，无需更换切割盘，以满足二极管、可控硅不同直径晶圆的共线生产激光切割的要求。为了解决上述技术问题，本技术采用如下的技术方案：一种激光晶圆切割机共用切割盘，包括盘体，盘体上均匀设有数个安装孔，盘体下表面设有真空腔，盘体上表面径向从内至外依次具有两个以上的切割台面，其中，位于盘体中心的切割台面为圆形台面，其余为与圆形台面同心的圆环形台面，圆形台面与圆环形台面均呈同一水平面，且相邻两切割台面之间均设有与圆形台面同心的呈圆环形凹面的切割离焦避让区，圆形台面上开有与真空腔相连通的真空吸附槽。所述真空吸附槽在圆形台面上布置成多个同心圆槽结构。所述圆形台面的轴向还开有数个真空吸附孔，真空吸附槽通过真空吸附孔与真空腔相连通。采用本技术的激光晶圆切割机共用切割盘具有以下几个优点：1、结构简单、使用方便,无需更换切割盘即可切割不同直径的晶圆片。2、可根据需要兼容两种以上尺寸的晶圆片的切割，并且在激光切割时，不会造成对晶圆片的伤害，可满足二极管、可控硅不同直径晶圆的共线生产激光切割的要求。附图说明图1是本技术的激光晶圆切割机共用切割盘的俯视示意图。图2是本技术的切割盘的径向剖视图。具体实施方式本技术的一种激光晶圆切割机共用切割盘如图1-图2，其与现有技术相同的是，同样也包括了盘体10，盘体10上均匀设有数个安装孔2，盘体10下表面设有真空腔9。所不同的是，该盘体10上表面径向从内至外依次具有两个以上的切割台面4，其中，位于盘体10中心的切割台面4为圆形台面，其余为与圆形台面同心的圆环形台面，圆形台面与圆环形台面均呈同一水平面，且相邻两切割台面4之间均设有与圆形台面同心的呈圆环形凹面的切割离焦避让区5，圆形台面上开有与真空腔9相连通的真空吸附槽3。所述真空吸附槽3较佳的可在圆形台面上布置成多个同心圆槽结构。而所述圆形台面的轴向还开有数个真空吸附孔7，真空吸附槽3是通过真空吸附孔7与真空腔9相连通的。图1、图2所示的切割盘即为具有两个不同直径尺寸的切割台面4的实施例，且由内至外分别为位于中心的用于3英寸片切割台面41(圆形台面)，位于3英寸片切割台面41外圈的3英寸片切割离焦避让区51，位于3英寸片切割离焦避让区51外圈的4英寸片切割台面42(圆环形台面)，以及位于4英寸片切割台面42外圈的4英寸片切割离焦避让区52。当然，还可以根据实际需要来调整切割台面的直径尺寸，以及切割台面的数量。使用时，可将切割盘的安装基面8通过安装孔2固定于激光切割机上。当切割3英寸晶圆时，放置于3英寸片切割台面41上，晶圆片与3英寸片切割台面41同心，真空腔9内的真空通过真空吸附孔7透过切割盘，到达真空吸附槽3，将3英寸晶圆吸附于3英寸片切割台面41上。激光切割3英寸片，行程一般设置为3.1英寸，此时，超出的行程正好位于3英寸片切割离焦避让区51内，由于高度低于切割平面，激光离焦，避免了激光切伤切割盘；当切割4英寸片时，无需更换切割盘，放置于4英寸片切割台面42上，晶圆片与4英寸片切割台面42同心，真空腔9内的真空通过真空吸附孔7透过切割盘，到达真空吸附槽3，将4英寸晶圆吸附于切割盘上，4英寸晶圆覆盖了整个3英寸片切割台面41并与4英寸片切割台面42同心，从而避免了激光切伤切割盘。综上所述，本技术的激光晶圆切割机共用切割盘设计合理，结构简单、使用方便，其平面度达到5微米以下，并可兼容3英寸和4英寸片的切割，并且在激光切割时，不损坏4英寸切割范围，对于不同直径的晶圆片，无需再更换切割盘，满足了二极管、可控硅不同直径晶圆的共线生产激光切割的要求。另外，还可依次类推设计3、4、5、6、7、8等英寸的激光切割共用盘。但是，本
中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本技术，而并非用作为对本技术的限定，只要在本技术的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本技术的权利要求书范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光晶圆切割机共用切割盘，包括盘体，盘体上均匀设有数个安装孔，盘体下表面设有真空腔，其特征在于：盘体上表面径向从内至外依次具有两个以上的切割台面，其中，位于盘体中心的切割台面为圆形台面，其余为与圆形台面同心的圆环形台面，圆形台面与圆环形台面均呈同一水平面，且相邻两切割台面之间均设有与圆形台面同心的呈圆环形凹面的切割离焦避让区，圆形台面上开有与真空腔相连通的真空吸附槽。

【技术特征摘要】
1.一种激光晶圆切割机共用切割盘，包括盘体，盘体上均匀设有数个安装孔，盘体下表面设有真空腔，其特征在于：盘体上表面径向从内至外依次具有两个以上的切割台面，其中，位于盘体中心的切割台面为圆形台面，其余为与圆形台面同心的圆环形台面，圆形台面与圆环形台面均呈同一水平面，且相邻两切割台面之间均设有与圆形台面同心的呈圆环形凹面...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁波，陈瀚，李轶，侯金松，徐伟涛，张文亮，杭海燕，
申请(专利权)人：上海微世半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31