一种带隙基准电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种带隙基准电路。所述电路包括：一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路，所述运算放大器电路包括偏置电路、输入PMOS差动对、输出电流源；所述输入PMOS差动对的两输入管M8及M9为PMOS管，所述输入管M8及M9的源极连接所述偏置电路的输出端，输入管M8的栅极连接所述运算放大器的反相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第一电流源的输入端，输入管M9的栅极连接所述运算放大器的同相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第二电流源的输入端。本实用新型专利技术能够解决传统带隙基准电路上电不能正常工作的问题，而不需要附加的启动电路。

Bandgap reference circuit

The utility model provides a band gap reference circuit. The circuit comprises a first-order temperature compensation circuit, amplifier circuit and the output circuit of the operational amplifier circuit includes a bias circuit, PMOS input differential pair, the output current source; the input of the differential input two PMOS M8 and M9 PMOS tube tube, the input tube M8 and M9 source connection the output end of the bias circuit, the inverting input terminal of the input gate tube M8 is connected with the input end of the operational amplifier, the leakage pole is connected with the output of the first current source in the current source, a non inverting input terminal of the input gate tube M9 is connected with the input end of the operational amplifier, the leakage pole is connected with the output of second the current source in the current source. The utility model can solve the problem that the traditional bandgap reference circuit can not work normally without the additional starting circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准电路
本技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种带隙基准电路。
技术介绍
带隙基准(BandgapReference)电路作为集成电路中独立的模块，广泛被应用于模拟及数模混合电路中，用以产生电路中所需要的恒定参考电压、电流，其性能决定了整个芯片的可靠性。带隙基准的原理是，利用双极型晶体管(BJT)不同电流密度下的基极-发射极电压之间的差值ΔVBE的正温度特性，与双极型晶体管的基极-发射极电压VBE的负温度特性相抵消，产生一阶补偿的电压基准。传统的带隙基准所用的运算放大器输入多为NMOS差动对。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下技术问题：在带隙基准电路刚上电时，带隙基准电路的运算放大器的两输入端的电压均等于零，输入NMOS差动对可能会关断，所有晶体管均传输零电流，电路将无限期的保持关断。所以电路需要一个启动机制，以保证电路在上电时能正常工作。
技术实现思路
本技术提供一种带隙基准电路，能够解决传统带隙基准电路上电不能正常工作的问题，而不需要附加的启动电路。本技术提供一种带隙基准电路，所述电路包括：一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路，其特征在于，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隙基准电路，其特征在于，包括：一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路，其特征在于，所述运算放大器电路包括偏置电路、输入PMOS差动对、输出电流源；所述输入PMOS差动对的两输入管M8及M9为PMOS管，所述输入管M8及M9的源极连接所述偏置电路的输出端，输入管M8的栅极连接所述运算放大器的反相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第一电流源的输入端，输入管M9的栅极连接所述运算放大器的同相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第二电流源的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路，其特征在于，所述运算放大器电路包括偏置电路、输入PMOS差动对、输出电流源；所述输入PMOS差动对的两输入管M8及M9为PMOS管，所述输入管M8及M9的源极连接所述偏置电路的输出端，输入管M8的栅极连接所述运算放大器的反相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第一电流源的输入端，输入管M9的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仙红，张立军，邱昕，冷永清，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11