一种正温度系数可调温度传感芯片制造技术

一种正温度系数可调温度传感芯片包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元；所述补偿电路与所述传感电路连接，对正温度系数感应电路影响温度感应精度的因素进行补偿；所述模数转换电路将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述串行接口电路作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要调整的温度系数存储于该单元，存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接，对正温度系数传感电路进行修调，调整芯片的温度系数。

A positive temperature coefficient adjustable temperature sensor chip

A positive temperature coefficient adjustable temperature sensor chip includes a positive temperature coefficient compensating circuit, sensor circuit, analog-to-digital conversion circuit, clock circuit, logic control circuit, serial interface circuit and a storage unit; the compensation circuit is connected to the sensing circuit, to compensate for the factors of positive temperature coefficient effect of temperature sensing accuracy of the sensor circuit; change the analog-to-digital conversion circuit outputs a positive temperature coefficient circuit of analog to digital output, improve the anti noise ability; the serial interface circuit as communication interface chip and the external signal, it will reflect the temperature sensing information output; the input end is connected with the storage unit the serial interface circuit, the customer through the two port serial interface circuit, will need to adjust the temperature coefficient stored in the storage unit, transmission unit The output terminal is connected with the positive temperature coefficient sensing circuit, and the positive temperature coefficient sensing circuit is adjusted to adjust the temperature coefficient of the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种正温度系数可调温度传感芯片
本专利技术涉及一种传感芯片，特别提供一种正温度系数可调温度传感芯片。
技术介绍
传统的温度传感器一般采用热电偶、铂电阻、双金属开关等器件，受到封装体积的影响，不利于集成，不利于产品的小型化。另外传统的单片集成的硅基温度传感器芯片，在生产的过程由于工艺漂移、封装应力等因素的影响，成品的温度系数会有波动，产品的一致性较差。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种成品一致性好、测量精确、高度集成的正温度系数可调温度传感芯片，其将正温度系数传感电路和其补偿电路、模数转换电路、串行接口电路等同时集成在一块芯片上，同时终端应用客户可通过串行接口电路和存储单元对芯片的正温度系数进行修调。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种正温度系数可调温度传感芯片,包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元；所述正温度系数传感电路为芯片的主体部分，其输出电压随感应温度的上升而线性上升；所述补偿电路与所述传感电路连接，对正温度系数感应电路影响温度感应精度的因素进行补偿；所述模数转换电路与所述正温度系数感应电路连接，将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述模数转换电路和逻辑控制电路连接；所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号，输出端与所述模数转换电路和串行接口电路连接；所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接，作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要调整的温度系数存储于该单元，存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接，对正温度系数传感电路进行修调，调整芯片的温度系数。进一步，所述正温度系数传感电路包括电源、启动电路、正温度系数电压产生电路和电压跟随电路I0；所述电源与所述启动电路和正温度系数电压产生电路相连，用于供电；所述启动电路包括第一P型场效应管MP1、第二P型场效应管MP2、第一N型场效应MN1、第二N型场效应管MN2和二极管D1，与所述正温度系数电压产生电路相连，在电源电压上电初始时，为正温度系数电压产生电路提供初始电流；所述正温度系数电压产生电路包括第三P型场效应管MP3、第四P型场效应管MP4、第五P型场效应管MP5、第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1和修调电阻阵列Rtrim；所述电压跟随电路I0与所述正温度系数电压产生电路相连，用于增强驱动带载能力。进一步，所述第一P型场效应管MP1的漏极接电源，源极分别与所述二极管D1的正极和第一N型场效应管MN1的漏极相连，栅极与接地信号相连；所述第二P型场效应管MP2的漏极接电源，源极与所述第二N型场效应管MN2的漏极相连，栅极分别与所述第三P型场效应管MP3的栅极和第四P型场效应管MP4的栅极相连；所述第一N型场效应管MN1的漏极分别与所述第一P型场效应管MP1的源极和二极管D1的正极相连，源极与接地信号相连，栅极与所述第二N型场效应管MN2的栅极相连；所述第二N型场效应管MN2的漏极与所述第二P型场效应管MP2的源极相连，源极与接地信号相连，栅极与所述第一N型场效应管MN1的栅极相连，且漏极与栅极两端直接相连，所述第一N型场效应管MN1和第二N型场效应管MN2构成电流镜的关系；所述二极管D1的正极分别与所述第一P型场效应管MP1的源极和第一N型场效应管MN1的漏极相连，负极分别与所述第三P型场效应管MP3的源极和第一三极管Q1的集电极相连；所述第三P型场效应管MP3的漏极接所述电源，源极分别与所述二极管D1的负极和第一三极管Q1的集电极相连，栅极分别与所述第二P型场效应管MP2的栅极和第四P型场效应管MP4的栅极相连；所述第四P型场效应管MP4的漏极接所述电源，源极分别与所述第五P型场效应管MP5的栅极和第二三极管Q2的集电极相连，栅极分别与所述第二P型场效应管MP2的栅极和第三P型场效应管MP3的栅极相连，且栅极和源极两端直接相连，所述第二P型场效应管MP2和第四P型场效应管MP4构成电流镜的关系；所述第五P型场效应管MP5的漏极接所述电源，源极分别与所述修调电阻阵列Rtrim的一端和电压跟随电路I0的正输入端相连，栅极分别与所述第四P型场效应管MP4的源极和第二三极管Q2的集电极相连；所述第一三极管Q1的集电极和基极两端直接相连，集电极分别与所述二极管D1的负极和第三P型场效应管MP3的源极相连，基极与所述第二三极管Q2的基极相连，发射极与接地信号相连；所述第二三极管Q2的集电极分别与所述第四P型场效应管MP4的源极和第五P型场效应管MP5的栅极相连，基极与所述第一三极管Q1的基极相连，发射极与所述电阻R1的一端相连；所述电阻R1的一端与所述第二三极管Q2的发射极相连，另一端与接地信号相连；所述修调电阻阵列Rtrim的一端分别与所述第五P型场效应管MP5的源极和电压跟随电路I0的正输入端相连，另一端与接地信号相连。进一步，所述电阻R1和修调电阻阵列Rtrim为相同类型电阻，并严格匹配。进一步，所述正温度系数温度传感电路的修调电阻阵列Rtrim包括初始电阻Rint、同类型匹配修调电阻R、2R、4R、8R、16R和开关K1、K2、K3、K4、K5，由所述修调电阻R、2R、4R、8R、16R与所述开关K1、K2、K3、K4、K5一一对应串联后，分别与所述初始电阻Rint并联而成。本专利技术的有益效果是：本专利技术为半导体正温度系数可调温度传感芯片，将正温度系数传感电路和其补偿电路、模数转换电路、串行接口电路等同时集成在一块芯片上，同时终端应用客户可通过串行接口电路和存储单元对芯片的正温度系数进行修调，实现成品一致性好、测量精确、高度集成的应用特点。附图说明图1为本专利技术正温度系数可调温度传感芯片架构图；图2为本专利技术正温度系数温度传感电路的电路图；图3为本专利技术修调电阻阵列的结构示意图。具体实施方式下面结合附图详细描述本专利技术的具体实施方式。如图所示，一种正温度系数可调温度传感芯片,包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元；所述正温度系数传感电路为芯片的主体部分，其输出电压随感应温度的上升而线性上升；所述补偿电路与所述传感电路连接，对正温度系数感应电路的工艺漂移，电压波动，内部噪声，封装应力等影响温度感应精度的因素进行补偿；所述模数转换电路与所述正温度系数感应电路连接，将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述模数转换电路和逻辑控制电路连接；所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号，输出端与所述模数转换电路和串行接口电路连接；所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接，作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要调整的温度系数存储于该单元，存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接，对正温度系数传感电路进行修调，调整芯片的温度系数。所述正温度系数传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正温度系数可调温度传感芯片，其特征在于：包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元；所述正温度系数传感电路为芯片的主体部分，其输出电压随感应温度的上升而线性上升；所述补偿电路与所述传感电路连接，对正温度系数感应电路影响温度感应精度的因素进行补偿；所述模数转换电路与所述正温度系数感应电路连接，将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述模数转换电路和逻辑控制电路连接；所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号，输出端与所述模数转换电路和串行接口电路连接；所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接，作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要调整的温度系数存储于该单元，存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接，对正温度系数传感电路进行修调，调整芯片的温度系数。

【技术特征摘要】
1.一种正温度系数可调温度传感芯片，其特征在于：包括正温度系数传感电路、补偿电路、模数转换电路、时钟电路、逻辑控制电路、串行接口电路和储存单元；所述正温度系数传感电路为芯片的主体部分，其输出电压随感应温度的上升而线性上升；所述补偿电路与所述传感电路连接，对正温度系数感应电路影响温度感应精度的因素进行补偿；所述模数转换电路与所述正温度系数感应电路连接，将正温度系数传感电路的输出进行模拟量到数字量的转变，提高输出的抗噪声能力；所述时钟电路为芯片内部提供时钟信号，与所述模数转换电路和逻辑控制电路连接；所述逻辑控制电路为芯片内部提供逻辑控制信号，输出端与所述模数转换电路和串行接口电路连接；所述串行接口电路输入端与所述模数转换电路的输出端连接，作为芯片与外部信号的通讯接口，它将反映温度信息的传感量进行输出；所述存储单元输入端与所述串行接口电路连接，客户通过串行接口电路的两个端口，将需要调整的温度系数存储于该单元，存储单元输出端与所述正温度系数传感电路连接，对正温度系数传感电路进行修调，调整芯片的温度系数。2.根据权利要求1所述的一种正温度系数可调温度传感芯片，其特征在于：所述正温度系数传感电路包括电源、启动电路、正温度系数电压产生电路和电压跟随电路I0；所述电源与所述启动电路和正温度系数电压产生电路相连，用于供电；所述启动电路包括第一P型场效应管MP1、第二P型场效应管MP2、第一N型场效应管MN1、第二N型场效应管MN2和二极管D1，与所述正温度系数电压产生电路相连，在电源电压上电初始时，为正温度系数电压产生电路提供初始电流；所述正温度系数电压产生电路包括第三P型场效应管MP3、第四P型场效应管MP4、第五P型场效应管MP5、第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1和修调电阻阵列Rtrim；所述电压跟随电路I0与所述正温度系数电压产生电路相连，用于增强驱动带载能力。3.根据权利要求2所述的一种正温度系数可调温度传感芯片，其特征在于：所述第一P型场效应管MP1的漏极接电源，源极分别与所述二极管D1的正极和第一N型场效应管MN1的漏极相连，栅极与接地信号相连；所述第二P型场效应管MP2的漏极接电源，源极与所述第二N型场效应管MN2的漏极相连，栅极分别与所述第三P型场效应管MP3的栅极和第四P型场效应管MP4的栅极相连；所述第一N型场效应管MN1的漏极分别与所述第一P型场效应管MP1的源极和二极管D1的正极相连，源极与接地信号相连，栅极与所述第二N型场效应管MN2的栅极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜帆，陈利，刘玉山，
申请(专利权)人：厦门安斯通微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35