一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路制造技术

一种提高STEP‑DOWN负载电流检测精度的电路，包括电流检测主体电路、输出电路、采样滤波电路、采样电流应用举例和外围应用电路部分；所述采样滤波电路包括输入信号缓冲放大器、采样电阻、采样电容、滤波电容、滤波电阻、第三开关、第四开关和电流源；所述第四开关和电流源用于提高负载检测电流的精度，与所述采样电容并联；所述滤波电容和滤波电阻构成低通滤波器。本实用新型专利技术在负载电流检测电路中引入一个恒定的电流源，在高边PMOS管截止低边NMOS管导通期间对采样保持的电流信号(电感电流的最大值)进行放电，模拟实际的电感电流，使电流检测电路检测到的负载电流更接近实际的负载电流，从而消除现有负载电流检测技术带来的误差。

A Circuit for Improving the Detection Accuracy of STEP-DOWN Load Current

A circuit for improving the accuracy of STEP DOWN load current detection includes the main circuit of current detection, output circuit, sampling filter circuit, sample current application example and peripheral application circuit. The sampling filter circuit includes input signal buffer amplifier, sampling resistance, sampling capacitor, filter capacitor, filter resistance, third switch, fourth switch and current source. The fourth switch and current source are used to improve the accuracy of load detection current, and are connected in parallel with the sampling capacitor. The filter capacitor and the filter resistance constitute a low-pass filter. The utility model introduces a constant current source in the load current detection circuit, discharges the sampled and held current signal (maximum inductance current) during the cut-off period of the high-side PMOS tube and the conduction period of the low-side NMOS tube, simulates the actual inductance current, makes the load current detected by the current detection circuit closer to the actual load current, thereby eliminating the existing load current detection technology band. Errors.

【技术实现步骤摘要】
一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路
本技术涉及一种集成电路，特别提供一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路。
技术介绍
对于STEP-DOWN拓扑结构，当需要检测负载电流时，现有技术的方案是采用一个与高边PMOS管成一定比例的PMOS管形成镜像结构，该PMOS管称为检测管。该方案在高边PMOS管导通周期内可以准确的检测负载电流；但在高边PMOS管截止、低边NMOS管续流管导通周期内，由于采样保持电路保持的电流信号是高边PMOS管截止，低边NMOS管续流管还没有导通时刻的高边PMOS管的峰值电流，而不是电感(负载)的实时电流，会造成这个期间内检测的电流不准确。若用这个不准确的电流信号控制后续系统的操作，则可能会使整个系统产生误动作。比如当检测到的电流比实际值偏大时，则会使整个系统提前进入限流状态，若检测到的电流比实际负载电流偏小时，则会使系统提前由连续工作模式进入断续工作模式工作，影响系统的效率，严重时会导致系统不能正常工作。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供了一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高STEP‑DOWN负载电流检测精度的电路，其特征在于：包括电流检测主体电路、输出电路、采样滤波电路、采样电流应用举例部分和外围应用电路；所述电流检测主体电路包括检测管（Qsen）、第一开关（SW1）、第二开关（SW2）、PMOS管（Q1）和误差放大器（OP）；所述检测管（Qsen）的栅极接地电位，源极连接外部输入电压（VIN），漏极连接PMOS管（Q1）的源极，所述PMOS管（Q1）的栅极连接误差放大器（OP）的输出端，所述误差放大器（OP）的同相输入端连接在检测管（Qsen）和PMOS管（Q1）之间，反相输入端连接第一开关（SW1）和第二开关（SW2）；所述第二开关（SW2）连接...

【技术特征摘要】
1.一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路，其特征在于：包括电流检测主体电路、输出电路、采样滤波电路、采样电流应用举例部分和外围应用电路；所述电流检测主体电路包括检测管（Qsen）、第一开关（SW1）、第二开关（SW2）、PMOS管（Q1）和误差放大器（OP）；所述检测管（Qsen）的栅极接地电位，源极连接外部输入电压（VIN），漏极连接PMOS管（Q1）的源极，所述PMOS管（Q1）的栅极连接误差放大器（OP）的输出端，所述误差放大器（OP）的同相输入端连接在检测管（Qsen）和PMOS管（Q1）之间，反相输入端连接第一开关（SW1）和第二开关（SW2）；所述第二开关（SW2）连接外部输入电压（VIN）；所述输出电路包括高边PMOS管（QP）和低边NMOS管（QN）；所述高边PMOS管（QP）的源极接外部输入电压（VIN），漏极与低边NMOS管（QN）的漏极连接在一起后接所述电流检测主体电路中的第一开关（SW1）；所述低边NMOS管（QN）的源极接地电位；所述外围应用电路包括外部电感（L）和负载电容（Cload）；所述外部电感（L）一端接于高边PMOS管（QP）和低边NMOS管（QN）之间，另一端接输出电压（VOUT）；所述负载电容（Cload）跨接在外部电感（L）和地之间；所述采样滤波电路包括输入信号缓冲放大器（buf）、采样电阻（Rsen）、采样电容（Csample）、滤波电容（Clpf）、滤波电阻（Rlpf）、第三开关（SW3）、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李河清，姜帆，刘玉山，陈利，
申请(专利权)人：厦门安斯通微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35